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公开(公告)号：CN118299931B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410721303.6
申请日：2024-06-05
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。
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公开(公告)号：CN118299931A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410721303.6
申请日：2024-06-05
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。
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公开(公告)号：CN116448713A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310701371.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N21/3586 , G01N27/22
Abstract: 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种基于Mie谐振效应的太赫兹生物传感器及其制备方法和应用。传感器结构包括：底层，设置在底层上面的圆柱阵列，所述圆柱阵列包括多个均匀分布的呈圆柱状的介电材料，所述底层为硼硅酸盐玻璃或石英玻璃。制备方法包括：介电材料晶圆片与硼硅酸盐玻璃或石英玻璃进行阳极键合，在介电材料表面涂胶、曝光，刻蚀，形成圆柱阵列，采用H2SO4、H2O2溶液的混合液清洗，然后氧等离子体处理，使用3‑氨丙基三乙氧基硅烷溶液浸泡，用碳二亚胺、N‑羟基硫代琥珀酰亚胺溶液和待测生物样品对应的抗体溶液混合浸泡。本发明基于Mie谐振原理制备了新结构的生物传感器，有较高灵敏度。
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公开(公告)号：CN111307911A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN119774535A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510104206.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81B7/04 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/53 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00 , H01Q15/00 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹生物传感器技术领域，具体涉及一种准BIC太赫兹全介质生物传感器及其制备方法和应用。本发明的生物传感器包括介质层和衬底层，介质层由多个全介质超材料的单元结构周期排列组成阵列，单元结构由非对称的四个圆柱结构组成，四个圆柱结构的圆心对称，其中三个圆柱结构直径相同，另一个圆柱结构直径与其他三个不相同，且直径相差不大，同时限定单元结构的周期与圆柱直径和圆柱间距满足一定条件，以实现较强的电磁场增强效果。本发明通过设计对称性的破缺使超材料结构由连续域束缚态退变为准连续域束缚态，实现器件在太赫兹波段条件下的高Q因子，使得传感器在太赫兹波段内对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111307876B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811514190.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法。该传感器具有多层膜结构，包括硅基基底、绝缘层、电极层、气体敏感层，其中气体敏感层有石墨烯及复合在石墨烯表面的单层MoS2薄膜构成。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗硅晶圆衬底；(2)热氧化硅晶圆生成氧化硅绝缘层；(3)利用光刻工艺在氧化硅绝缘层上形成电极图形层；(4)在电极层上形成石墨烯层；(5)在石墨烯层上形成单层MoS2材料。本发明的气体传感器对NO2气体具有低的检测限，高灵敏度和低的响应时间等优点。本发明的气体传感器具有结构简单，与现有硅基电子器件制备技术兼容，能够进行低温、低成本制备等特点。
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公开(公告)号：CN112268935A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011101109.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔石墨烯的柔性室温气体传感器及其制备方法，所述柔性室温气体传感器包括气体敏感层、连接电极和柔性衬底，其中，所述气体敏感层覆盖于柔性衬底上，所述连接电极包括电极层和引线，所述引线的一端通过电极层粘接在所述气体敏感层上，另一端被引至所述柔性衬底的外部。本发明制备的气体传感器采用柔性基底，传感器可弯曲，极易大批量生产，成品率高，且不影响检测性能，可应用于可穿戴设备、电子皮肤等新型领域。
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公开(公告)号：CN112146797A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011055021.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene的多功能柔性力学传感器及其制备方法，传感器的结构包括自下而上依次设置的基底层、三维多孔Mxene自支撑薄膜、封装层；所述基底层和封装层的大小和厚度相同；所述自支撑三维多孔Mxene薄膜的两端均通过涂覆的导电银浆与导电铜线连接。本发明实现了较大压力的测量，同时具有较高的灵敏度，另外该传感器可用于小范围应力的测量，可以实现对弯曲的响应。本发明的基于Mxene的多功能柔性力学传感器具有实现高灵敏度、高稳定性、高一致性、成本低和制作工艺简单的特点。
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公开(公告)号：CN111307876A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811514190.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法。该传感器具有多层膜结构，包括硅基基底、绝缘层、电极层、气体敏感层，其中气体敏感层有石墨烯及复合在石墨烯表面的单层MoS2薄膜构成。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗硅晶圆衬底；(2)热氧化硅晶圆生成氧化硅绝缘层；(3)利用光刻工艺在氧化硅绝缘层上形成电极图形层；(4)在电极层上形成石墨烯层；(5)在石墨烯层上形成单层MoS2材料。本发明的气体传感器对NO2气体具有低的检测限，高灵敏度和低的响应时间等优点。本发明的气体传感器具有结构简单，与现有硅基电子器件制备技术兼容，能够进行低温、低成本制备等特点。
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公开(公告)号：CN111307911B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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