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公开(公告)号：CN111307911B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN116482051A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310701364.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N21/3577 , G01N21/35
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种红外频段生化传感器及其制备方法和应用。该传感器结构包括：衬底，以及设置在衬底上面的若干个呈周期性排布的圆柱状介质。制备方法包括以下步骤：将衬底表面制备介质层；在介质层表面涂正胶，光刻，图形化，后烘坚膜；对介质层刻蚀；去胶，浸泡，轰击清洗，去除表面残胶。该传感器可用于检测包括例如蛋白质溶液、无机盐溶液、小分子有机物溶液等生化样品。本发明提供的传感器损耗低、Q值高、降低成本、介电常数变化敏感。
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公开(公告)号：CN109920908B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201711334271.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器具有类似三明治结构，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；(3)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积给氧牺牲氧化层；(4)利用物理气相沉积技术在给氧牺牲氧化层上面沉积活性金属薄层；(5)利用物理气相沉积技术在活性金属层上沉积惰性金属顶电极。本发明利用自然氧化界面层作为阻变存储器的转变功能层来进行阻变数据的存储，避免了界面氧化层对阻变存储器件性能的影响，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115561295B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211555174.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 有研(广东)新材料技术研究院 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/772
Abstract: 本发明属于葡萄糖生物传感器技术领域，公开了一种硅纳米线场效应葡萄糖传感器及其制备方法。该葡萄糖传感器采用与CMOS工艺兼容的硅纳米线场效应传感器，在硅纳米线表面功能化混合自组装催化层，通过将3‑氨基丙基三甲氧基硅烷与聚乙二醇混合溶液修饰硅纳米线场效应传感器形成胺基封端，再将葡萄糖氧化酶固定在硅纳米线表面，调控探针分子葡萄糖氧化酶的修饰密度，显著改变了高离子强度溶液的介电特性增加德拜长度，使葡萄糖发生酶促反应从而检测到有效电荷，改善传感器的灵敏度。该葡萄糖传感器具有易于小型化、免标记、商业化和大规模应用以及大规模生产等优点。
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公开(公告)号：CN112516976A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910880533.6
申请日：2019-09-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B01J20/283 , B01J20/30 , B01D15/22
Abstract: 本发明提供一种制备功能柱层析硅胶的方法。该方法包括以下步骤：(1)使用浓度为2‑4M的盐酸和普通硅胶按照1∶1‑3∶1混合，至少反应12h后，将活化硅胶烘干；(2)向活化硅胶中加入0.5‑1当量交联剂和1当量修饰剂，使用有机溶剂溶解，加热回流后烘干；(3)柱层析装柱，使用淋洗溶剂将柱子压实，并持续保持淋洗液流动10min，将未反应的氨基和修饰剂冲洗干净。该方法在手性物质分离、高极性物质纯化和具有羟基反应活性物质纯化等传统柱层析无法应用的领域有很强的潜力和价值，大大改善材料提纯效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111349890A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811585706.3
申请日：2018-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电复合薄膜及其制备方法。该磁电复合薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaN磁致伸缩层，其中所述FeGaN磁致伸缩层是在用磁控溅射法制备的FeGa材料上采用氮离子注入法形成的。其制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGa薄膜，然后采用氮离子注入法将氮离子注入FeGa薄膜中形成FeGaN薄膜。本发明的磁电复合薄膜是包括FeGaN和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良、且成分均匀可控等优点。采用本发明可制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。
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公开(公告)号：CN111293122A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010101304.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供了一种电荷俘获型存储器，包括硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、电极以及形成于衬底上的源极和漏极。存储器的制备方法包括以下步骤：在硅衬底上形成源极和漏极；于载流子沟道顶部生长隧穿层；在隧穿层顶部沉积电荷俘获层；在电荷俘获层上沉积Al2O3作为阻挡层；在阻挡层顶部覆盖电极。本发明通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，获得了大的存储窗口，同时，器件其他方面的性能没有被牺牲，利于广泛应用。
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公开(公告)号：CN111239204A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811450315.0
申请日：2018-11-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料及其制备方法。该气敏材料由原位生成的纳米碳和双金属氧化物纳米颗粒组成，所述双金属氧化物为Co、Zn、Cu中任意两种金属的氧化物。其制备方法包括如下步骤：(1)将两种金属盐加入到乙醇中，搅拌至形成澄清溶液；(2)将沉淀剂溶于无水乙醇中，室温下搅拌形成澄清溶液；(3)将金属盐溶液缓慢滴入沉淀剂溶液，并充分搅拌得到双金属氧化物前驱体沉淀；(4)用无水乙醇洗涤前驱体沉淀，并干燥；(5)将沉淀研磨，并进行煅烧；(6)用无水乙醇洗涤得到的粉末，并干燥，得到双金属氧化物半导体气敏材料。本发明的气敏材料针对环境中的乙醇气体具有较好的气体检测性能，其制备方法简便，易于放大。
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公开(公告)号：CN119774535A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510104206.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81B7/04 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/53 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00 , H01Q15/00 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹生物传感器技术领域，具体涉及一种准BIC太赫兹全介质生物传感器及其制备方法和应用。本发明的生物传感器包括介质层和衬底层，介质层由多个全介质超材料的单元结构周期排列组成阵列，单元结构由非对称的四个圆柱结构组成，四个圆柱结构的圆心对称，其中三个圆柱结构直径相同，另一个圆柱结构直径与其他三个不相同，且直径相差不大，同时限定单元结构的周期与圆柱直径和圆柱间距满足一定条件，以实现较强的电磁场增强效果。本发明通过设计对称性的破缺使超材料结构由连续域束缚态退变为准连续域束缚态，实现器件在太赫兹波段条件下的高Q因子，使得传感器在太赫兹波段内对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果。
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公开(公告)号：CN111307876B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811514190.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法。该传感器具有多层膜结构，包括硅基基底、绝缘层、电极层、气体敏感层，其中气体敏感层有石墨烯及复合在石墨烯表面的单层MoS2薄膜构成。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗硅晶圆衬底；(2)热氧化硅晶圆生成氧化硅绝缘层；(3)利用光刻工艺在氧化硅绝缘层上形成电极图形层；(4)在电极层上形成石墨烯层；(5)在石墨烯层上形成单层MoS2材料。本发明的气体传感器对NO2气体具有低的检测限，高灵敏度和低的响应时间等优点。本发明的气体传感器具有结构简单，与现有硅基电子器件制备技术兼容，能够进行低温、低成本制备等特点。
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