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公开(公告)号：CN103650119B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280027855.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许青 , 卡梅利娅·鲁苏 , 布赖恩·K·麦克米林 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32972
Abstract: 提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
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公开(公告)号：CN103650119A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280027855.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许青 , 卡梅利娅·鲁苏 , 布赖恩·K·麦克米林 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32972
Abstract: 提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
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公开(公告)号：CN105719950A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510965135.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 汤姆·A·坎普 , 亚历山大·M·帕特森 , 尼马·拉斯特加尔
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/02071 , H01L21/32137 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH3和NF3。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜升华。
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公开(公告)号：CN105719950B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510965135.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 汤姆·A·坎普 , 亚历山大·M·帕特森 , 尼马·拉斯特加尔
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH3和NF3。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜升华。
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