公开(公告)号：CN105914146B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610099255.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 海伦·H·朱 ,  琳达·马尔克斯 ,  费萨尔·雅各布 ,  皮利翁·帕克 ,  伊凡·L·贝瑞三世 ,  伊夫兰·A·安格洛夫 ,  朴俊洪

IPC: H01L21/318

Abstract: 本发明提供了用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法，具体提供了通过提供硅至等离子体选择性地蚀刻在半导体衬底上的氮化硅，以实现氮化硅比含硅材料的高蚀刻选择比的方法。所述方法涉及从固体硅源或流体硅源或两者提供硅。固体硅源可以在衬底的上游，例如在处理室的喷头或喷头附近，或在远程等离子体产生器中。在蚀刻期间可使硅气体源流入等离子体。

公开(公告)号：CN105914146A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610099255.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 海伦·H·朱 ,  琳达·马尔克斯 ,  费萨尔·雅各布 ,  皮利翁·帕克 ,  伊凡·L·贝瑞三世 ,  伊夫兰·A·安格洛夫 ,  朴俊洪

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357

Abstract: 本发明提供了用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法，具体提供了通过提供硅至等离子体选择性地蚀刻在半导体衬底上的氮化硅，以实现氮化硅比含硅材料的高蚀刻选择比的方法。所述方法涉及从固体硅源或流体硅源或两者提供硅。固体硅源可以在衬底的上游，例如在处理室的喷头或喷头附近，或在远程等离子体产生器中。在蚀刻期间可使硅气体源流入等离子体。