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公开(公告)号：CN109402637B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811027616.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 伊凡·L·贝瑞三世 , 索斯藤·利尔 , 肯尼思·里斯·雷诺兹
Abstract: 本文提供了一种差动泵送反应气体喷射器，具体提供了一种可用于从表面去除材料的工艺，该工艺为离子蚀刻。在某些情况下，离子蚀刻涉及输送离子和反应气体两者到衬底。所公开的实施方式允许以局部高压强的方式输送反应气体到衬底，而将在衬底的局部高压强输送区之外的部分保持低得多的压强。低压强是通过下列方式来实现的：将高压强反应物输送限制在小区域，并当过量的反应物和副产物离开该小区域时以及在过量的反应物和副产物进入较大的衬底处理区之前抽吸走它们。所公开的技术可以用于提高产量，同时使存在于衬底处理区中的离子和其他物质之间的有害的碰撞降低到最小程度。
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公开(公告)号：CN105390419B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201510546899.1
申请日：2015-08-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及不需要晶片倾斜或旋转的离子束蚀刻。本发明的各个实施例涉及用于在衬底上蚀刻特征的方法和装置。在多个实施例中，不使用衬底旋转或倾斜。尽管传统的蚀刻工艺依靠衬底旋转来均衡离子在衬底表面上的分布，但本文的各个实施例通过相对于离子源移动离子束来实现这一目的。离子束的移动可以以多种方式来实现，包括以静电技术、机械技术、磁技术及其组合来实现。
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公开(公告)号：CN105374713B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510494523.0
申请日：2015-08-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 伊凡·L·贝瑞三世 , 索斯藤·利尔 , 肯尼思·里斯·雷诺兹
Abstract: 本文提供了一种差动泵送反应气体喷射器，具体提供了一种可用于从表面去除材料的工艺，该工艺为离子蚀刻。在某些情况下，离子蚀刻涉及输送离子和反应气体两者到衬底。所公开的实施方式允许以局部高压强的方式输送反应气体到衬底，而将在衬底的局部高压强输送区之外的部分保持低得多的压强。低压强是通过下列方式来实现的：将高压强反应物输送限制在小区域，并当过量的反应物和副产物离开该小区域时以及在过量的反应物和副产物进入较大的衬底处理区之前抽吸走它们。所公开的技术可以用于提高产量，同时使存在于衬底处理区中的离子和其他物质之间的有害的碰撞降低到最小程度。
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公开(公告)号：CN105374713A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510494523.0
申请日：2015-08-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 伊凡·L·贝瑞三世 , 索斯藤·利尔 , 肯尼思·里斯·雷诺兹
CPC classification number: H01J37/36 , C23F4/00 , H01J37/3244 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01L21/67017 , H01L21/02046
Abstract: 本文提供了一种差动泵送反应气体喷射器，具体提供了一种可用于从表面去除材料的工艺，该工艺为离子蚀刻。在某些情况下，离子蚀刻涉及输送离子和反应气体两者到衬底。所公开的实施方式允许以局部高压强的方式输送反应气体到衬底，而将在衬底的局部高压强输送区之外的部分保持低得多的压强。低压强是通过下列方式来实现的：将高压强反应物输送限制在小区域，并当过量的反应物和副产物离开该小区域时以及在过量的反应物和副产物进入较大的衬底处理区之前抽吸走它们。所公开的技术可以用于提高产量，同时使存在于衬底处理区中的离子和其他物质之间的有害的碰撞降低到最小程度。
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公开(公告)号：CN112088423B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980030046.9
申请日：2019-04-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学模拟来识别给定热蚀刻反应的一或多个反应路径中的蚀刻工艺的化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应的化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为自变量以及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应的因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应的化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应的蚀刻特性作为输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112424914A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046595.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 公开了用于执行原子层蚀刻的设备及方法。一种方法可以包含：对所述衬底上的材料的一或更多个表面层进行改性；以及使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于电子源，从而在没有使用等离子体的情况下移除所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层。一种设备可包含处理室、处理气体单元、电子源以及控制器，该控制器具有配置以导致下列步骤的指令：致使该处理气体单元使该第一处理气体流至该室内部中的衬底，该第一处理气体被配置成对该衬底上的材料的一或更多层进行改性；以及致使该电子源产生电子，并使该衬底上的经改性的该一或更多表面层暴露于所述电子，在没有使用等离子体的情况下将经改性的该一或更多表面层移除。
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公开(公告)号：CN107768226B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710920105.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本文涉及用于离子束研磨的离子喷射器和透镜系统，本文的实施例涉及用于对半导体衬底执行离子蚀刻的方法和装置、以及用于形成这样的装置的方法。在一些实施例中，可以制造电极部件，电极部件包含具有不同目的的多个电极，每个电极以机械稳定的方式固定到下个。在电极固定在一起之后可以在每个电极中形成开口，因而保证开口在邻近电极之间良好对准。在一些情况下，电极由简并掺杂硅制成，并且电极部件通过静电键合固定在一起。还可以使用其他电极材料和固定的方法。在一些情况下，电极部件可以包含中空阴极发射极电极，其可以具有截锥形或者其他非圆筒开口形状。在一些情况下，还可以存在腔室衬垫和/或反射器。
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公开(公告)号：CN105914146A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610099255.7
申请日：2016-02-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357
Abstract: 本发明提供了用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法，具体提供了通过提供硅至等离子体选择性地蚀刻在半导体衬底上的氮化硅，以实现氮化硅比含硅材料的高蚀刻选择比的方法。所述方法涉及从固体硅源或流体硅源或两者提供硅。固体硅源可以在衬底的上游，例如在处理室的喷头或喷头附近，或在远程等离子体产生器中。在蚀刻期间可使硅气体源流入等离子体。
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公开(公告)号：CN105390416A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510530658.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 雷纳·欧布维格 , 安德烈亚斯·格雷森纳 , 托马斯·维恩斯贝格尔 , 弗朗茨·库姆尼格 , 阿里桑德罗·贝尔达罗 , 克里斯汀·托马斯·费舍尔 , 周沐洪 , 拉法尔·理夏德·迪莱维奇 , 南森·拉夫多斯基 , 伊凡·L·贝瑞三世
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/67115 , H01L21/68792 , H01L21/6715
Abstract: 本发明提供了用于处理晶片状物件的方法和装置。一种用于处理晶片状物件的装置，其包括：封闭处理室，所述封闭处理室提供气密封装。旋转卡盘位于所述封闭处理室内。加热器相对于所述卡盘定位以便仅从一侧加热保持在所述卡盘上的晶片状物件，而不接触所述晶片状物件。所述加热器发射波长在从390纳米至550纳米的范围内的具有最大强度的辐射。至少一个第一液体分配器相对于所述卡盘定位，以便将工艺液体分配到晶片状物件的与所述晶片状物件的面向所述加热器的一侧相反的一侧上。
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公开(公告)号：CN110634726B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910836307.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT‑RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期间衬底可经由冷却的衬底支撑件被冷却到低温。冷却的衬底支撑件可在减少所得器件中扩散相关的损伤程度方面具有有益的影响。此外，在某些其它处理步骤期间使用未冷却的衬底支撑件同样可在减少扩散相关的损伤方面具有有益的影响，具体取决于特定步骤。在一些实施方式中，冷却的衬底支撑件可用于在衬底的某些部分上优先沉积材料(在一些情况下为反应物)的工艺中。所公开的实施方式可用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。
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