公开(公告)号：CN101578691A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780049581.6

申请日：2007-10-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 金智洙 ,  柯南·江 ,  崔大汉 ,  列扎·S·M·萨贾迪 ,  迈克尔·葛斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 提供一种形成半导体器件的方法。栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入衬底。将所述隔离层去除。