公开(公告)号：CN101578691A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780049581.6

申请日：2007-10-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 金智洙 ,  柯南·江 ,  崔大汉 ,  列扎·S·M·萨贾迪 ,  迈克尔·葛斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 提供一种形成半导体器件的方法。栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入衬底。将所述隔离层去除。

公开(公告)号：CN113383409A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080012167.3

申请日：2020-01-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 威廉·蒂 ,  金智洙 ,  艾伦·J·米勒 ,  魏莱 ,  弗兰克·Y·琳 ,  韩俊熙熙 ,  刘杰 ,  柯南·江 ,  迈克尔·约翰·马丁 ,  尼古拉斯·约翰·塞莱斯特

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 一种配置为向处理室提供用于快速交替工艺的沉积和蚀刻气体的气体输送系统包括：第一阀，该第一阀被设置为将沉积气体从沉积气体歧管经由第一孔口提供到气体分配装置的第一区域，并将沉积气体从沉积气体歧管经由直径大于第一孔口的第二孔口提供到气体分配装置的第二区域。第二阀被设置成将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由第三孔口提供到气体分配装置的第一区域，并且将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由与第三孔口具有不同的直径的第四孔口提供到气体分配装置的第二区域。

公开(公告)号：CN101578691B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780049581.6

申请日：2007-10-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 金智洙 ,  柯南·江 ,  崔大汉 ,  列扎·S.M·萨贾迪 ,  迈克尔·葛斯

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 提供一种形成半导体器件的方法。栅堆叠形成在衬底表面上方。提供用来在所述栅堆叠侧面形成聚合物隔离层的多个循环，其中每个循环包括提供沉积阶段，其在所述聚合物隔离层的侧面上和所述衬底表面上方沉积材料，并且提供清洁阶段，其去除所述衬底表面上方的聚合物以及成形该被沉积材料的轮廓。使用所述隔离层作为掺杂剂掩模将掺杂剂注入衬底。将所述隔离层去除。

公开(公告)号：CN115943486A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180041451.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 魏崃 ,  金智洙 ,  艾伦·杰弗里·米勒 ,  威廉·蒂 ,  弗兰克·云·林 ,  韩俊熙熙 ,  刘洁 ,  柯南·江 ,  迈克尔·约翰·马丁

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 在一些示例中，提供了用于在处理室中处理衬底的平底遮蔽环(fBSR)。示例性的fBSR包含用于覆盖处理室中的衬底边缘的悬出部。悬出部包括径向向外延伸越过衬底的外缘的平坦区。

公开(公告)号：CN104037065A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410290445.8

申请日：2008-11-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 金智洙 ,  柯南·江 ,  品川俊 ,  S·M·列扎·萨贾迪

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。

公开(公告)号：CN101855706A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115933.8

申请日：2008-11-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 金智洙 ,  柯南·江 ,  品川俊 ,  S·M·列扎·萨贾迪

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在防反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下。将该衬底放在处理室中。打开该ARC层。形成氧化物垫片沉积层。部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，其中该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去。通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层。穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层。从该处理室除去该衬底。