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公开(公告)号：CN114364827B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202080061144.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约瑟夫·理查森 , 申宰 , 杰雅维尔·维尔姆鲁根 , 伊丽莎白·卡洛拉 , 托马斯·阿南德·波努司瓦米 , 史蒂文·T·迈耶
Abstract: 提供了用于电镀的系统和方法。电镀系统可包括配置为包含阳极和电镀溶液的电镀槽、配置为在电镀槽内支撑晶片的晶片支架、配置为包含电镀溶液的至少一部分的储液槽、流体连接所述储液器和所述电镀槽的再循环流动路径，其中再循环流动路径包括泵并且被配置为在储液器和电镀槽之间循环电镀溶液，以及与电镀槽、储液器和再循环流动路径中的一个或多个流体连接的起泡器。起泡器可以被配置为当电镀溶液存在于电镀系统中、与起泡器交界并且起泡器被激活时在电镀溶液中产生气泡。
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公开(公告)号：CN111748835B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202010423152.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及在电镀期间横流歧管的动态调节。本发明的实施方式涉及将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。通常，本发明的实施方式利用位于衬底附近的有沟道的板，在有沟道的板和衬底之间并在侧面上经由流限制环创建横流歧管。可以在衬底保持器的底表面和衬底保持器下方的元件(例如，流限制环)的顶表面之间设置密封件。在电镀期间，流体通过有沟道的板中的沟道以及通过横流入口进入横流歧管，然后在与横流入口相对定位的横流出口处排出。该设备可以在电镀期间在密封状态和未密封状态之间切换，例如通过适当地降低和升高衬底和衬底保持器以接合和脱开密封件来实现。
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公开(公告)号：CN116134182A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060502.1
申请日：2021-05-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 贾斯廷·奥伯斯特 , 布莱恩·L·巴卡柳 , 托马斯·阿南德·波努司瓦米 , 史蒂文·T·迈耶 , 斯蒂芬·J·巴尼克二世
IPC: C25D7/12
Abstract: 可电镀纳米双晶铜和非纳米双晶铜以形成混合晶体结构，例如二合一铜通孔与RDL()结构或二合一铜通孔与柱结构。通过用氧化剂或其他化学试剂预处理非纳米双晶铜层的表面，可以在非纳米双晶铜层上电镀纳米双晶铜。替代地，可电镀纳米双晶铜以部分地填充介电层中的凹部，并可在纳米双晶铜上方电镀非纳米双晶铜以填充凹部。随后可去除铜覆盖层。
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公开(公告)号：CN107419312B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710374684.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及在电镀期间横流歧管的动态调节。本发明的实施方式涉及将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。通常，本发明的实施方式利用位于衬底附近的有沟道的板，在有沟道的板和衬底之间并在侧面上经由流限制环创建横流歧管。可以在衬底保持器的底表面和衬底保持器下方的元件(例如，流限制环)的顶表面之间设置密封件。在电镀期间，流体通过有沟道的板中的沟道以及通过横流入口进入横流歧管，然后在与横流入口相对定位的横流出口处排出。该设备可以在电镀期间在密封状态和未密封状态之间切换，例如通过适当地降低和升高衬底和衬底保持器以接合和脱开密封件来实现。
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公开(公告)号：CN106149024B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610318396.3
申请日：2016-05-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C25D7/12 , C25D17/00 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及利用离子阻性离子可穿透元件电镀金属的装置和方法。在一个方面，一种用于利用改善的电镀均匀性在半导体衬底上电镀金属的装置包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成保持所述半导体衬底；以及离子阻性离子可穿透元件，其包括基本上平坦的面对衬底的表面和相反的表面，其中所述元件在电镀期间使得离子流能朝向所述衬底流动，并且其中所述元件包括具有变化的局部电阻率的区域。在一个实施例中，元件的电阻率可通过改变元件的厚度而变化。在一些实施方式中，元件的厚度从元件的边缘沿径向方向到中心逐渐减小。所提供的装置和方法对于在WLP凹陷特征内电镀金属是特别有用的。
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公开(公告)号：CN106245078A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610394032.3
申请日：2016-06-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 加布里埃尔·海·格拉哈姆 , 蔡李鹏 , 史蒂文·T·迈耶 , 罗伯特·拉什 , 亚伦·贝尔克
Abstract: 本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括：电镀室，其被配置成容纳电解液和阳极；衬底支架，其配置成在电镀期间保持半导体衬底；离子阻性离子可穿透元件(“元件”)，其被配置成邻近衬底定位；和屏蔽件，其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间，使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中，在电镀期间，在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。
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公开(公告)号：CN114502778B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080070051.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 格雷戈里·J·卡恩斯 , 蔡利平 , 雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗 , 史蒂文·T·迈耶
Abstract: 通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积(唇形密封件镀出)。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇形密封件的小选定区域以抑制靠近唇形密封件的金属的电沉积并避免金属与唇形密封件接触来实现。在一些实施方案中，通过在将金属电镀成贯穿抗蚀剂特征的过程中顺序地使用不同内径的唇形密封件来实现屏蔽，其中在第一电镀步骤期间使用具有较小直径的唇形密封件并将其用作在选定区域中阻挡电沉积的屏蔽物。在第二个电镀步骤中，使用较大内径的唇形密封件。
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公开(公告)号：CN115917057A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042887.9
申请日：2021-11-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 詹姆斯·艾萨克·福特纳 , 史蒂文·T·迈耶 , 斯蒂芬·J·巴尼克
Abstract: 在一些示例中，提供了一种用于在衬底上沉积金属层的电镀装置。示例性的电镀装置包括：用于接收电镀溶液的电镀槽；电极；对电极；衬底保持夹具；阻性元件；以及除泡设备，其能旋转地支撑在所述阻性元件附近以产生或引导穿过所述阻性元件的电镀溶液的流动，从而释放截留的气泡。
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公开(公告)号：CN114930502A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008773.2
申请日：2021-01-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 申宰 , 约瑟夫·理查森 , 杰雅维尔·维尔姆鲁根 , 托马斯·阿南德·波努司瓦米 , 史蒂文·T·迈耶
IPC: H01L21/288 , H01L21/768 , C25D5/18 , C25D5/02 , C25D3/38 , C25D17/00 , C25D7/12
Abstract: 提供了一种在具有高打开区域部分的衬底上将金属电镀到部分制造的电子器件的特征中的方法。该方法包括用高电流电平下的脉冲启动主体电填充阶段；将电流降低到基线电流水平；并且可选地以一个或多个步骤增加电流直到电镀完成。
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