用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法

    公开(公告)号:CN106245078A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610394032.3

    申请日:2016-06-06

    Abstract: 本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括:电镀室,其被配置成容纳电解液和阳极;衬底支架,其配置成在电镀期间保持半导体衬底;离子阻性离子可穿透元件(“元件”),其被配置成邻近衬底定位;和屏蔽件,其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间,使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中,在电镀期间,在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。

    用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法

    公开(公告)号:CN106245078B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201610394032.3

    申请日:2016-06-06

    Abstract: 本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括:电镀室,其被配置成容纳电解液和阳极;衬底支架,其配置成在电镀期间保持半导体衬底;离子阻性离子可穿透元件(“元件”),其被配置成邻近衬底定位;和屏蔽件,其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间,使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中,在电镀期间,在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。

    用于电镀装置的边缘流元件

    公开(公告)号:CN106480481B

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201610756695.5

    申请日:2016-08-29

    CPC classification number: C25D5/08 C25D17/001 C25D17/008

    Abstract: 本发明涉及用于电镀装置的边缘流元件,具体涉及用于将一种或多种材料电镀到衬底上的方法和装置。在许多情况下,材料是金属并且衬底是半导体晶片,但不限于此。通常情况下,本发明的实施方式利用定位在衬底附近的有沟道的板,产生在底部由有沟道的板限定、在顶部由衬底限定并在侧面由横流约束环限定的横流歧管。通常还提供配置为引导电解液到衬底和衬底夹持器之间形成的拐角中的边缘流元件。电镀期间,流体向上穿过有沟道的板中的通道并横向通过位于横流约束环的一侧上的横流侧入口,进入横流歧管。流动路径组合在横流歧管中并且出口在位于横流入口相对处的横流出口处。这些组合的流动路径和边缘流元件导致改善的电镀均匀性,尤其在衬底的外周。

    用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法

    公开(公告)号:CN110387564A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201910553235.6

    申请日:2016-06-06

    Abstract: 本发明涉及用于调节在电镀中的方位角均匀性的装置和方法。用于在半导体衬底上以改善的方位角均匀性电镀金属的装置在一个方面包括:电镀室,其被配置成容纳电解液和阳极;衬底支架,其配置成在电镀期间保持半导体衬底;离子阻性离子可穿透元件(“元件”),其被配置成邻近衬底定位;和屏蔽件,其被配置用于提供方位角不对称屏蔽并定位在衬底支架和元件之间,使得所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述衬底的工作表面之间的最近距离为小于约2mm。在一些实施方式中,在电镀期间,在所述屏蔽件的面对衬底的表面和所述屏蔽件之间存在填充电解液的间隙。所述屏蔽件的面对衬底的表面可以设置轮廓使得从屏蔽件的不同位置到衬底的距离是变化的。

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