公开(公告)号：CN119234298A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041463.X

申请日：2023-05-16

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  拉格什·普顿科维拉卡姆 ,  卡普·瑟里什·雷迪 ,  约翰·霍昂 ,  沈美华 ,  吴惠荣 ,  索纳尔·巴达乌里亚 ,  迟昊 ,  亚伦·林恩·罗赞 ,  安东尼·斯凯·于 ,  弗朗西斯·斯隆·罗伯茨

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 本文中的各种实施方案涉及用于在介电材料中蚀刻高深宽比特征的方法、装置和系统。介电材料使用具有至少两种不同成分的多层或渐变的硬掩模来蚀刻。当硬掩模的不同部分被暴露出时，使用不同的蚀刻方案。例如，当硬掩模的较高部分暴露出时，可在第一温度下将特征蚀刻至第一深度，接着当硬掩模的较低部分暴露出时，在第二温度下将特征蚀刻至最终深度，第二温度高于第一温度。