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公开(公告)号：CN119234298A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041463.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 拉格什·普顿科维拉卡姆 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 约翰·霍昂 , 沈美华 , 吴惠荣 , 索纳尔·巴达乌里亚 , 迟昊 , 亚伦·林恩·罗赞 , 安东尼·斯凯·于 , 弗朗西斯·斯隆·罗伯茨
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67
Abstract: 本文中的各种实施方案涉及用于在介电材料中蚀刻高深宽比特征的方法、装置和系统。介电材料使用具有至少两种不同成分的多层或渐变的硬掩模来蚀刻。当硬掩模的不同部分被暴露出时，使用不同的蚀刻方案。例如，当硬掩模的较高部分暴露出时，可在第一温度下将特征蚀刻至第一深度，接着当硬掩模的较低部分暴露出时，在第二温度下将特征蚀刻至最终深度，第二温度高于第一温度。
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公开(公告)号：CN114555997B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080067255.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 马里施·格雷戈尔 , 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 , 索斯藤·贝恩德·莱尔
Abstract: 可以提供一种装置，该装置包括具有一个或多个微流体阀结构的衬底。该阀结构是用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。
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公开(公告)号：CN117941493A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280060606.7
申请日：2022-09-04
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·霍昂 , 亚伦·林恩·罗赞 , 安德烈亚斯·菲舍尔 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 萨沙撒耶·瓦拉达拉简
Abstract: 可以通过以下方式蚀刻硫族化物材料层：将具有硫族化物材料层的晶片提供给处理室，将晶片加热到第一温度，在晶片处于第一温度时通过使包含氟化物或氯化物的第一化学物质流动到晶片上来改性硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，通过使第二化学物质流动到晶片上来去除硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。
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公开(公告)号：CN114555997A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080067255.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 马里施·格雷戈尔 , 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 , 索斯藤·贝恩德·莱尔
IPC: F16K99/00
Abstract: 可以提供一种装置，该装置包括具有一个或多个微流体阀结构的衬底。该阀结构是用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119641991A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411507380.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 马里施·格雷戈尔 , 西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 , 索斯藤·贝恩德·莱尔
IPC: F16K99/00
Abstract: 公开了用于高真空应用的非弹性体、非聚合物、非金属膜阀。即使在阀的流体控制侧暴露于通常可用于折叠(collapse)/密封传统弹性体膜阀的低于大气压的压强场时这种阀也能发挥作用。
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公开(公告)号：CN115244666A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019410.9
申请日：2021-03-02
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 安德烈亚斯·费希尔 , 亚伦·林恩·鲁查恩 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 塞沙萨耶·瓦拉达拉简
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3205 , H01L21/67 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 通过执行一或多个蚀刻循环而以高度可控方式来蚀刻钼，其中每一循环涉及将具有钼层的半导体衬底暴露于含氧反应物，以形成氧化钼，接着以三氯化硼进行处理，以将氧化钼转化成挥发性的氧氯化钼，接着以含氟反应物来处理衬底，以将在前一个反应中形成的氧化硼从衬底表面去除。在一些实施方案中，本方法是在无等离子体情况下执行且导致基本各向同性蚀刻。本方法可用在半导体处理的各种应用中，例如用于3D NAND制造中的字线隔离。
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公开(公告)号：CN119816927A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063195.1
申请日：2023-08-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 亚伦·林恩·罗赞 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 提供了氮化物原子层蚀刻，其包括通过使含磷反应物与一种或多种氧化剂反应，在氮化硅层的表面上原位生成磷酸。磷酸选择性地蚀刻氮化硅层，而不是氧化硅和/或硅。
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公开(公告)号：CN112997291A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980066838.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 , 安德鲁·约翰·麦克罗 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 谢恩·唐 , 凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 , 约翰·霍昂 , 亚历山大·杜尔金 , 潜丹娜 , 维克兰特·莱
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 提供了用于在半导体衬底上的硫族化物材料上方形成封装双层的方法和设备。方法涉及形成双层，所述双层包含利用脉冲等离子体式等离子体增强化学气相沉积(PP‑PECVD)直接在硫族化物材料沉积的阻挡层以及利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在阻挡层上方沉积的封装层。在多种实施方案中，所述阻挡层利用无卤素的硅前体形成，而通过PEALD所沉积的所述封装层利用含卤素的硅前体与无氢含氮反应物形成。
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公开(公告)号：CN112956026A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073253.2
申请日：2019-09-10
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 吴惠荣 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 马克·直司·川口 , 格伦·古纳万 , 杰伊·E·厄格洛 , 纳格拉杰·尚卡尔 , 高里·钱纳·卡玛蒂 , 凯文·M·麦克劳克林 , 阿南达·K·巴纳基 , 杨家岭 , 约翰·霍昂 , 亚伦·林恩·罗赞 , 南森·马塞尔怀特 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 迟昊 , 尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11524 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。
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