公开(公告)号：CN101675505B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880014689.6

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李钟必 ,  川口小泽 ,  卡梅利娅·鲁苏 ,  黄志松 ,  穆坤德·斯里尼瓦桑 ,  埃里克·赫德森 ,  亚伦·埃普勒

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31122

Abstract: 一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。该硬掩模层设在图案化的掩模下方。该基片设在等离子处理室中。该硬掩模层通过将包含COS组分硬掩模开口气体通入该等离子室、由该硬掩模开口气体形成等离子和停止该硬掩模开口气体的通入而开口。该硬掩模层可由无定形碳组成，或由旋涂碳组成，该硬掩模开口气体可进一步包括O2。

公开(公告)号：CN101675505A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200880014689.6

申请日：2008-05-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 李钟必 ,  川口小泽 ,  卡梅利娅·鲁苏 ,  黄志松 ,  穆坤德·斯里尼瓦桑 ,  埃里克·赫德森 ,  亚伦·埃普勒

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31122

Abstract: 一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。该硬掩模层设在图案化的掩模下方。该基片设在等离子处理室中。该硬掩模层通过将包含COS组分硬掩模开口气体通入该等离子室、由该硬掩模开口气体形成等离子和停止该硬掩模开口气体的通入而开口。该硬掩模层可由无定形碳组成，或由旋涂碳组成，该硬掩模开口气体可进一步包括O 2 。