公开(公告)号：CN115702475A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202180043951.5

申请日：2021-05-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  李达 ,  李英熙 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  艾伦·J·詹生 ,  薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/11 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本文中所述的技术涉及促进衬底与含金属光致抗蚀剂之间的粘附性的方法、装置和系统。例如，方法可包括：在反应室中接收衬底，衬底具有暴露在其表面上的第一材料，所述第一材料包含基于硅的材料和/或基于碳的材料；由等离子体产生气体源产生等离子体，其基本上不含硅，其中所述等离子体包含化学官能团；使所述衬底暴露于所述等离子体，以通过在所述第一材料与来自所述等离子体的所述化学官能团之间形成键而对所述衬底的所述表面进行改性；以及，在所述衬底的所述改性表面上沉积所述含金属光致抗蚀剂，其中在所述第一材料与所述化学官能团之间的所述键促进在所述衬底与所述含金属光致抗蚀剂之间的粘附性。

公开(公告)号：CN114342043A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080061227.0

申请日：2020-08-28

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马修·斯科特·韦默 ,  拉格什·普顿科维拉卡姆 ,  戈登·亚历克斯·麦克唐纳德 ,  张绍清 ,  李石柯 ,  薛君 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  赵熙祝 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  埃里克·A·赫德森 ,  许金瑞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505

Abstract: 本文提供了用于使用双频射频部件在低压室中的衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置。低压等离子体增强化学气相沉积可用于增加AHM的蚀刻选择性，从而使得能使用薄的AHM以用于半导体处理操作。

公开(公告)号：CN113574456B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180002531.2

申请日：2021-01-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李达 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。

公开(公告)号：CN118773572A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410678644.X

申请日：2020-03-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李石柯 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  H01L21/033

Abstract: 一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中；b)将室压强设定在预定压强范围内；c)将衬底温度设定在‑20℃至200℃的预定温度范围内；d)供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；以及e)通过供应RF等离子体功率持续第一预定时段来激励等离子体，以在该衬底上沉积碳可灰化硬掩模层。

公开(公告)号：CN113710829B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202080024547.9

申请日：2020-03-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李石柯 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/033

Abstract: 一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中；b)将室压强设定在预定压强范围内；c)将衬底温度设定在‑20℃至200℃的预定温度范围内；d)供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；以及e)通过供应RF等离子体功率持续第一预定时段来激励等离子体，以在该衬底上沉积碳可灰化硬掩模层。

公开(公告)号：CN116705595A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310506176.3

申请日：2021-01-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李达 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。

公开(公告)号：CN114200776A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111256563.3

申请日：2021-01-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李达 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 本申请涉及用于光刻胶粘附和剂量减少的底层。本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。

公开(公告)号：CN113710829A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080024547.9

申请日：2020-03-18

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李石柯 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32 ,  H01L21/033

Abstract: 一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中；b)将室压强设定在预定压强范围内；c)将衬底温度设定在‑20℃至200℃的预定温度范围内；d)供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；以及e)通过供应RF等离子体功率持续第一预定时段来激励等离子体，以在该衬底上沉积碳可灰化硬掩模层。

公开(公告)号：CN113574456A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202180002531.2

申请日：2021-01-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 薛君 ,  玛丽·安妮·马努姆皮尔 ,  李达 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  游正义

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。