-
公开(公告)号：CN114026501B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080046943.1
申请日：2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 李达 , 范译文 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼尔·彼得 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 杨文兵
IPC: G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
-
-
公开(公告)号：CN113785381B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202080032750.0
申请日：2020-04-14
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。
-
公开(公告)号：CN117730281A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052467.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 李达 , 游正义 , 金志妍 , 潘阳
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中所述的各种实施方案涉及用于处理含金属光致抗蚀剂以修改光致抗蚀剂的材料属性的方法、装置和系统。含金属光致抗蚀剂可在涉及至少两个热操作的暴露后烘烤工艺中进行处理。暴露后烘烤操作中的至少一者包括，在富含氧的环境中使含金属光致抗蚀剂暴露于适度升高的温度。接着进行的暴露后烘烤操作包括，在惰性气体环境中使含金属光致抗蚀剂暴露于高度升高的温度。该多步骤暴露后烘烤操作改善了在后续干式显影工艺中的蚀刻选择性。
-
公开(公告)号：CN115702475A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043951.5
申请日：2021-05-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 游正义 , 李达 , 李英熙 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 艾伦·J·詹生 , 薛君 , 玛丽·安妮·马努姆皮尔
IPC: H01L21/033 , G03F7/11 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文中所述的技术涉及促进衬底与含金属光致抗蚀剂之间的粘附性的方法、装置和系统。例如，方法可包括：在反应室中接收衬底，衬底具有暴露在其表面上的第一材料，所述第一材料包含基于硅的材料和/或基于碳的材料；由等离子体产生气体源产生等离子体，其基本上不含硅，其中所述等离子体包含化学官能团；使所述衬底暴露于所述等离子体，以通过在所述第一材料与来自所述等离子体的所述化学官能团之间形成键而对所述衬底的所述表面进行改性；以及，在所述衬底的所述改性表面上沉积所述含金属光致抗蚀剂，其中在所述第一材料与所述化学官能团之间的所述键促进在所述衬底与所述含金属光致抗蚀剂之间的粘附性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115398347A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026411.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G03F7/38 , G03F7/36 , G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本文所述的各种实施方案涉及用于处理含金属光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性的方法、装置和系统。例如，本文的技术可以涉及在处理室中提供衬底，其中衬底包括衬底层上方的光致抗蚀剂层，并且其中光致抗蚀剂包括金属，并且处理光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性，使得蚀刻选择性在随后的暴露后干式显影工艺中提高。在各种实施方案中，处理可涉及将衬底暴露于高温和/或远程等离子体。可以在处理期间控制一种或多种工艺条件，例如温度、压强、环境气体化学品、气体流量/比率和水分，以根据需要调整材料特性。
-
公开(公告)号：CN114631062A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080058274.X
申请日：2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 丹尼尔·彼得 , 李达 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 吴呈昊 , 卡蒂·林恩·纳尔迪 , 凯文·利·顾 , 利昂·塔莱 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 薛萌
Abstract: 含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。
-
公开(公告)号：CN114026501A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080046943.1
申请日：2020-06-25
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 游正义 , 李达 , 范译文 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼尔·彼得 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 杨文兵
IPC: G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 光致抗蚀剂的显影对于例如用于在高分辨率图案化的背景下形成图案化掩模会是有用的。显影可使用例如卤化氢之类的含卤化物化学品而完成。使用干式或湿式沉积技术可在半导体衬底上沉积含金属抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂膜可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或含有机金属薄膜抗蚀剂。在暴露后，使用湿式或干式显影将经光图案化的含金属抗蚀剂进行显影。
-
公开(公告)号：CN113454763A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080014795.5
申请日：2020-02-11
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/033
Abstract: 提供相对于较低含氧硅区域而选择性地蚀刻氧化硅区域的方法。牺牲性掩模相对于氧化硅区域而选择性地沉积在较低含氧硅区域上。原子层蚀刻相对于较低含氧硅区域上的牺牲性掩模选择性地蚀刻氧化硅区域。
-
公开(公告)号：CN118159914A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202380014188.2
申请日：2023-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 李达 , 金志妍 , 萨曼塔·S·H·坦 , 蒂莫西·威廉·威德曼
Abstract: 提供了用于在EUV暴露后显影基于光图案化的金属或金属氧化物的薄膜光致抗蚀剂，以去除非挥发性物质并阻止蚀刻停止的处理。用蚀刻剂和氧化剂交替处理的重复循环；或用蚀刻剂处理然后用清洗剂处理是去除光致抗蚀剂中不需要的未暴露部分的有效技术。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.03 seconds)
