公开(公告)号：CN114342037B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202080055895.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 艾利克·哈德森 ,  斯科特·布里格斯 ,  约翰·霍兰德 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  菲力克斯·莱布·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文描述了用于清洁边缘环凹部的系统和方法。所述方法中的一种包含：将一或多种处理气体提供至等离子体室、将低频(LF)射频(RF)功率供给至邻近等离子体室的卡盘定位的边缘环。LF RF功率在将一或多种处理气体供给至等离子体室时供给，以维持等离子体室内的等离子体。供给LF RF功率增加靠近边缘环凹部的等离子体离子的能量，以去除边缘环凹部内的残余物。LF RF功率是在等离子体室内未处理衬底的时间段期间内供给。

公开(公告)号：CN109599318A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811030063.6

申请日：2018-09-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  赵琳 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西 ,  陈志刚 ,  约翰·帕特里克·霍兰德

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335

Abstract: 本发明涉及多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性。描述了用于提供离子方向性的多态等离子体晶片处理的系统和方法。该系统和方法有三种状态。在第一状态期间，执行蚀刻操作。在第二状态期间，千赫射频信号的功率电平大于零，以增强入射在堆叠层的底表面上的离子的方向性。在第三状态期间，堆叠层顶部的掩模损耗减少并且可以进行沉积。

公开(公告)号：CN111489951B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202010069637.1

申请日：2017-06-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·C·凯洛格 ,  阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  约翰·帕特里克·霍兰德 ,  陈志刚 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及耦合环。耦合环包括具有顶表面和底表面的绝缘体材料；嵌入所述绝缘体材料内的电极，其中所述电极位于所述绝缘体材料的顶表面下方的第一距离处和所述绝缘体材料的底表面上方的第二距离处，其中所述电极被配置为耦合到电源接脚，其中，所述耦合环被配置为放置在等离子体室内，以与等离子体室的卡盘相邻。

公开(公告)号：CN115053322A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180012493.9

申请日：2021-01-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  费利克斯·科扎克维奇 ,  季兵 ,  拉纳迪普·博米克 ,  肯尼思·卢凯西 ,  约翰·霍兰

IPC: H01J37/32

Abstract: 形成一个固定的外支撑凸缘(凸缘1)以外接等离子体处理系统内的电极。凸缘1具有竖直部分和从竖直部分的下端径向向外延伸的水平部分。铰接式外支撑凸缘(凸缘2)形成为外接凸缘1。凸缘2具有竖直部分和从竖直部分的下端径向向外延伸的水平部分。凸缘2的竖直部分同心地定位在凸缘1的竖直部分的外侧。凸缘2与凸缘1隔开并且可沿凸缘1的竖直部分移动。多个导电带中的每一个都具有连接到凸缘2的第一端部和连接到凸缘1的第二端部。

公开(公告)号：CN107017145A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610878114.5

申请日：2016-10-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉什塔内夫 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西 ,  约翰·帕特里克·霍兰德

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3174 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及用于阻抗匹配电路中的均匀性控制电路。描述了阻抗匹配电路(IMC)。所述IMC包括第一电路，所述第一电路包括沿路径限定的第一多个调谐元件。所述第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)发生器的输入端。所述第一电路被耦合到输出端。所述IMC还包括具有第二多个调谐元件的第二电路。所述第二电路具有耦合到兆赫(MHz)RF发生器的输入端，并被耦合到所述输出端。所述IMC包括由所述第一电路的所述多个调谐元件中的至少一个限定的均匀性控制电路(UCC)。所述UCC沿着所述第一电路的所述路径串联连接以限定电容，所述电容至少部分地影响由所述等离子体室产生的蚀刻速率的径向均匀性分布。

公开(公告)号：CN109599318B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201811030063.6

申请日：2018-09-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  赵琳 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西 ,  陈志刚 ,  约翰·帕特里克·霍兰德

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及多态等离子体晶片处理以增强离子的方向性。描述了用于提供离子方向性的多态等离子体晶片处理的系统和方法。该系统和方法有三种状态。在第一状态期间，执行蚀刻操作。在第二状态期间，千赫射频信号的功率电平大于零，以增强入射在堆叠层的底表面上的离子的方向性。在第三状态期间，堆叠层顶部的掩模损耗减少并且可以进行沉积。

公开(公告)号：CN114342037A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080055895.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 艾利克·哈德森 ,  斯科特·布里格斯 ,  约翰·霍兰德 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  菲力克斯·莱布·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文描述了用于清洁边缘环凹部的系统和方法。所述方法中的一种包含：将一或多种处理气体提供至等离子体室、将低频(LF)射频(RF)功率供给至邻近等离子体室的卡盘定位的边缘环。LF RF功率在将一或多种处理气体供给至等离子体室时供给，以维持等离子体室内的等离子体。供给LF RF功率增加靠近边缘环凹部的等离子体离子的能量，以去除边缘环凹部内的残余物。LF RF功率是在等离子体室内未处理衬底的时间段期间内供给。

公开(公告)号：CN107017145B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610878114.5

申请日：2016-10-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉什塔内夫 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西 ,  约翰·帕特里克·霍兰德

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明涉及用于阻抗匹配电路中的均匀性控制电路。描述了阻抗匹配电路(IMC)。所述IMC包括第一电路，所述第一电路包括沿路径限定的第一多个调谐元件。所述第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)发生器的输入端。所述第一电路被耦合到输出端。所述IMC还包括具有第二多个调谐元件的第二电路。所述第二电路具有耦合到兆赫(MHz)RF发生器的输入端，并被耦合到所述输出端。所述IMC包括由所述第一电路的所述多个调谐元件中的至少一个限定的均匀性控制电路(UCC)。所述UCC沿着所述第一电路的所述路径串联连接以限定电容，所述电容至少部分地影响由所述等离子体室产生的蚀刻速率的径向均匀性分布。

公开(公告)号：CN107665804A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710611474.3

申请日：2017-07-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  迈克尔·C·凯洛格 ,  约翰·帕特里克·霍兰德 ,  陈志刚 ,  肯尼思·卢凯西 ,  赵琳

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明涉及通过同步主和边缘RF发生器实现预定因子的系统和方法。描述了用于实现与等离子体室内的边缘区域相关联的预定因子的系统和方法。其中一种方法包括向等离子体室内的主电极提供RF信号。基于第一RF发生器的工作频率来生成RF信号。该方法还包括向等离子体室内的边缘电极提供另一RF信号。基于第一RF发生器的工作频率产生另一RF信号。该方法包括接收变量的第一测量值，接收变量的第二测量值，以及基于第一测量值和第二测量值来修改另一RF信号的相位。该方法包括改变与第二RF发生器相关联的变量的幅值以实现预定因子。

公开(公告)号：CN118866639A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410668260.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  菲力克斯·莱布·科扎克维奇 ,  约翰·霍兰德 ,  季兵 ,  肯尼思·卢凯西

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了主动控制径向蚀刻均匀度的系统和方法。所述方法包含产生具有基频的射频(RF)信号以及产生具有谐波频率的另一RF信号。控制该另一RF信号的谐波频率、或相位、或参数水平、或其组合以控制等离子体室内的RF等离子体鞘的谐波，从而实现径向蚀刻均匀度。