公开(公告)号：CN107017145A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610878114.5

申请日：2016-10-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿列克谢·马拉什塔内夫 ,  菲力克斯·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西 ,  约翰·帕特里克·霍兰德

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3174 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及用于阻抗匹配电路中的均匀性控制电路。描述了阻抗匹配电路(IMC)。所述IMC包括第一电路，所述第一电路包括沿路径限定的第一多个调谐元件。所述第一电路具有耦合到千赫(kHz)射频(RF)发生器的输入端。所述第一电路被耦合到输出端。所述IMC还包括具有第二多个调谐元件的第二电路。所述第二电路具有耦合到兆赫(MHz)RF发生器的输入端，并被耦合到所述输出端。所述IMC包括由所述第一电路的所述多个调谐元件中的至少一个限定的均匀性控制电路(UCC)。所述UCC沿着所述第一电路的所述路径串联连接以限定电容，所述电容至少部分地影响由所述等离子体室产生的蚀刻速率的径向均匀性分布。

公开(公告)号：CN104885185A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380063410.4

申请日：2013-10-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 ,  威廉·T·维弗

IPC: H01J27/04 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/302

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3171

Abstract: 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。

公开(公告)号：CN101410545A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010873.9

申请日：2007-03-28

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 高桥幸弘 ,  滨本辉文 ,  新出谦一

IPC: C23C14/22 ,  G02B1/11

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  C23C16/30 ,  G02B1/11 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022

Abstract: 离子枪系统(60)，其具备：照射离子束的离子枪(14)；向该离子枪供给电力的电源装置(61)；将2种气体分别导入离子枪的2个质量流量调整器(64、65)；与电源装置连接，作为对从该电源装置向离子枪供给的供给电力进行控制的离子枪控制单元的控制装置(12)；和与质量流量调整器连接，作为对从该质量流量调整器向离子枪的导入气体流量进行控制的质量流量控制单元的控制装置(12)；其中作为质量流量控制单元的控制装置(12)具备在离子枪稳定运转的范围内阶段性地变更2种气体各自的导入流量的设定值，以变更为其他设定值的功能，由此能够缩短成膜时间。

公开(公告)号：CN101086945A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710108987.9

申请日：2007-06-11

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： C·伯吉斯 ,  M·基恩

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/30472 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种调节诸如可用在半导体器件制造中的离子注入机中的离子束的方法。存在许多与离子注入机的操作相关的操作参数，这些操作参数影响到达晶片的离子束。控制这些参数允许对离子束进行调节，以提供用于任何特定注入的最佳离子束电流、能量、大小和形状。本发明提供了一种调节离子束的方法，包括：检索一组参数，这组参数中至少一些参数被存储在动态数据库中；根据检索的这组参数来配置该离子注入机从而提供离子束；通过改变一个或多个所述参数来优化所述离子束；以及对所述动态数据库中存储的、在优化期间变化的所述参数进行更新。

公开(公告)号：CN1735866A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108597.1

申请日：2003-11-12

Applicant: FEI公司

Inventor： J·特施马 ,  D·E·帕丁 ,  J·E·胡森

IPC: G06F11/00

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/2817 ,  H01J2237/31745 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

Abstract: 本发明提供用于分析诸如半导体晶片之类的对象中的缺陷的方法、装置及系统。在一个实施例中，它提供在半导体制造设备中的制造过程中表征半导体晶片中的缺陷的方法。这个方法包括以下动作。检验半导体晶片以定位缺陷。与已定位缺陷对应的位置则被存储在缺陷文件中。利用来自缺陷文件的信息把双带电粒子束系统自动导航到邻近缺陷位置。缺陷被自动识别，然后获取缺陷的带电粒子束图像。带电粒子束图像则经过分析以表征缺陷。然后，为缺陷的进一步分析确定配方。配方则被自动执行以利用带电粒子束切割缺陷的一部分。切割的部分基于带电粒子束图像分析。最后，对带电粒子束切割所暴露的表面成像，以获得关于缺陷的附加信息。

公开(公告)号：CN1165951C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN98126993.1

申请日：1998-10-15

Applicant: 鲍尔泽斯和利博尔德德国控股公司

Inventor： M·巴赫 ,  E·劳克斯

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  C23C14/32 ,  C23C14/56

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/3132

Abstract: 本发明涉及一种大功率电子束的驱动方法，所述电子束用于使处在坩埚等装置内的材料气化。用该方法可自动对偏转误差进行静态或动态修正。首先，用教入方法检测各个空间坐标和各个偏转电流的频率并将其存储到存储器中。在以后的操作中，将以这样的方式使用所存储的数据，将对应于电子束击中点的集合数据自动地换算到经修正的电流值，以此影响给定点的准确击中。在确定偏转电流的频率时也采取同样的方法。对给定的频率将自动修正振幅和曲线形状，以减少频率衰减效应。

公开(公告)号：CN1012403B

公开(公告)日：1991-04-17

申请号：CN87106497

申请日：1987-09-23

Applicant: 伊顿公司

Inventor： 道格拉斯·迪恩·米罗恩

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/302 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明涉及一种利用两对互相垂直的扫描电极(26、28)的离子束注入系统。频率大致相同的两个锯齿波形B加到扫描电极上，以产生四边形扫描图形C。改变这些扫描图形的尺叶，来扫出一能对圆形晶片作均匀注入的扫描图形。用使扫描电压扰动的方法，来调节束的即时速度，以补偿小的剂量不均匀性。

公开(公告)号：CN106133872B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201580004882.1

申请日：2015-03-06

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 科松·柯-泉珍 ,  马文·法利

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/047 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/30483

Abstract: 本发明提出一种用于跨工件(200)以改变的能量注入深度(208，212)的离子注入系统及方法。所述系统包括配置成将掺杂物气体离子化成多个离子且形成离子束(202)的离子源。质量分析器位于离子源的下游且配置成对离子束加以质量分析。减速/加速级位于质量分析器的下游。能量过滤器可以构成减速/加速级的一部分或者可以位于减速/加速级的下游。设置终端站，该终端站具有与其相关的工件支撑件，用于将工件设置在离子束之前。扫描装置配置成相对于彼此来扫描(204)所述离子束及所述工件支撑件中的一或多个。一个或多个电源可操作地耦接至离子源、质量分析器、减速/加速级、以及能量过滤器中的一个或多个。控制器配置成在扫描离子束和/或工件支撑件的同时选择性改变一个或多个分别供应至减速/加速级以及能量过滤器中的一个或多个的电压，其中一个或多个电压的选择性改变至少部分基于离子束相对工件支撑件的位置。

公开(公告)号：CN102737937B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210099031.8

申请日：2012-04-06

Applicant: FEI公司

Inventor： M.T.奥滕 ,  G.C.范霍夫滕 ,  J.洛夫

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J37/244 ,  H01J37/302 ,  H01J2237/0203 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/22 ,  H01J2237/2441 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/262 ,  H01J2237/2802

Abstract: 本发明涉及在带电粒子射束设备中保护辐射检测器的方法。本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。本发明包括在设置新的射束参数诸如改变聚光透镜（104）、投影器透镜（106）和/或射束能量的激发之前预测检测器上的电流密度。该预测是使用光学模型或者查表实现的。当预测的检测器暴露小于预定数值时，实现所期改变，否则产生警告消息并且推迟设置的改变。

公开(公告)号：CN105143846A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023150.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 土谷美树 ,  长久保康平 ,  富松聪

IPC: G01N1/28 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01J37/20 ,  B25J7/00 ,  G01N1/42 ,  G01N2001/2873 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30 ,  H01J37/302 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/208 ,  H01J2237/2801 ,  H01J2237/30461 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 在用于观察耐热性弱的材料的试样制作中，能够观察刚刚制作出最终观察面后的纯净的状态。本发明的试样制作方法使用带电粒子束装置制作试样，该带电粒子束装置具备：具有冷却机构的微型探针、具备将试样保持为冷却的状态的机构的第一试样保持器、能够导入上述微型探针和第一试样保持器的工作台，该试样制作方法具备：从冷却保持的第一试样保持器上的试样切出块状的试样片的步骤；使该试样片与被冷却为一定温度的上述微型探针的前端粘连，并在上述带电粒子束装置的真空室内将该试样片转移到与第一试样保持器不同的冷却保持的薄膜观察用的第二试样保持器的步骤；在从微型探针切离了被转移到薄膜观察用试样保持器的该试样片后，将该试样片薄膜加工为比切出时的厚度薄的厚度的步骤；以及观察薄膜加工后的该试样片的步骤。