公开(公告)号：CN113785381A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032750.0

申请日：2020-04-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  杨柳 ,  梁振伟 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  李达 ,  袁格 ,  安德鲁·梁

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。

公开(公告)号：CN113785381B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202080032750.0

申请日：2020-04-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  杨柳 ,  梁振伟 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  李达 ,  袁格 ,  安德鲁·梁

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。

公开(公告)号：CN112840039A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980065594.5

申请日：2019-10-03

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 游正义 ,  萨曼莎·西亚姆华·坦 ,  徐相俊 ,  袁格 ,  西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂

IPC: C21C5/44 ,  C21C5/46

Abstract: 一种用于清洁衬底处理室的表面的方法包含：a)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、碳氢化合物(CxHy，其中x与y为整数)和分子氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、以及亚硫酰氯(SOCl2)；b)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；c)将所述等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空；d)供应包含氟物质的第二气体；e)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；以及f)将该等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空。