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公开(公告)号：CN104233451B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410268283.8
申请日：2014-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C25D21/14 , C25D7/12 , H01L21/66 , H01L21/768
CPC classification number: C25D21/14 , B41C1/18 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/241
Abstract: 本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估，本文中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下，所述衬底是半导体衬底，特征是硅通孔。通常使用两个实验：第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件，以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。
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公开(公告)号：CN107858742B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710979575.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C25D21/14 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/24 , B41C1/18
Abstract: 本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估，本文中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下，所述衬底是半导体衬底，特征是硅通孔。通常使用两个实验：第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件，以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。
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公开(公告)号：CN107858742A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710979575.6
申请日：2014-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C25D21/14 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/24 , B41C1/18
Abstract: 本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估，本文中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下，所述衬底是半导体衬底，特征是硅通孔。通常使用两个实验：第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件，以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。
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公开(公告)号：CN104233451A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410268283.8
申请日：2014-06-16
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C25D21/14 , C25D7/12 , H01L21/66 , H01L21/768
CPC classification number: C25D21/14 , B41C1/18 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/241
Abstract: 本发明涉及利用场与特征对比的TSV浴评估，本发明中的实施方式涉及用于确定特定的测试浴是否能够成功地填充衬底上的特征的方法和装置。在各种情况下，所述衬底是半导体衬底，特征是硅通孔。通常使用两个实验：第一实验模拟填充工艺中存在于衬底的场区中的条件，以及第二实验模拟填充工艺中存在于衬底上的特征的条件。来自这些实验的输出可以与各种技术使用以预测特定浴是否导致充分填充的特征。
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