公开(公告)号：CN117981070A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280064267.X

申请日：2022-07-19

Applicant: 朗姆研究公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 阿西什·帕尔巴塔尼 ,  巴特·J·范施拉文迪克 ,  巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  耶瓦·纳克维丘特 ,  伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ,  卡希什·沙玛 ,  伦道夫·科纳尔 ,  斯蒂芬·施米茨 ,  维纳亚克·拉玛南 ,  野上武 ,  阮松万 ,  黄淮 ,  浩沙杜尔迦·K·萨布哈 ,  李俊涛 ,  科尼利厄斯·布朗·佩瑟拉 ,  丹尼尔·C·艾德斯坦

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/26 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02 ,  H01L21/32

Abstract: 提供了一种用于在处理后端衬底中的双镶嵌结构的铜互连件上的钴覆盖体上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层、第一介电层中的铜互连件、以及铜互连件上的钴覆盖体的半导体衬底，该钴覆盖体具有暴露的金属表面，其中暴露的金属表面包括钴，以及在暴露的金属表面上选择性地沉积碳层。