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公开(公告)号：CN117981070A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064267.X
申请日：2022-07-19
Inventor： 阿西什·帕尔巴塔尼 , 巴特·J·范施拉文迪克 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 耶瓦·纳克维丘特 , 伊斯瓦·斯里尼瓦桑 , 卡希什·沙玛 , 伦道夫·科纳尔 , 斯蒂芬·施米茨 , 维纳亚克·拉玛南 , 野上武 , 阮松万 , 黄淮 , 浩沙杜尔迦·K·萨布哈 , 李俊涛 , 科尼利厄斯·布朗·佩瑟拉 , 丹尼尔·C·艾德斯坦
IPC: H01L21/768 , C23C16/26 , C23C16/452 , H01L21/02 , H01L21/32
Abstract: 提供了一种用于在处理后端衬底中的双镶嵌结构的铜互连件上的钴覆盖体上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层、第一介电层中的铜互连件、以及铜互连件上的钴覆盖体的半导体衬底，该钴覆盖体具有暴露的金属表面，其中暴露的金属表面包括钴，以及在暴露的金属表面上选择性地沉积碳层。
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公开(公告)号：CN112877675B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110047033.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
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公开(公告)号：CN113330141B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
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公开(公告)号：CN114645261A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011496965.6
申请日：2020-12-17
Applicant: 新奥科技发展有限公司
IPC: C23C16/28 , C23C16/452
Abstract: 本发明涉及聚变装置的硼化技术，具体公开了一种用于聚变装置内部腔室硼化的预处理装置及其应用。本发明通过在聚变装置的外部设置预电离室对硼粉进行预电离，从而避免了对聚变装置真空室内部真空度等条件稳定性的影响，同时杜绝了污染物的带入，能够对聚变装置真空室的已有硼膜随时进行补强。预电离后的硼离子在进入聚变装置真空室内部后，在聚变反应放电的同时就能够进行对真空室内壁的硼化，无需额外的硼化步骤，简化了操作步骤，可满足未来聚变装置将运行很长的脉冲(即准稳态)或者运行于稳态放电的需要。
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公开(公告)号：CN113330141A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155343B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780029143.7
申请日：2017-05-16
Applicant: TES股份有限公司
IPC: H01L33/00 , C23C16/452 , C23C16/34 , H01L33/02 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明是有关于一种发光二极管的保护膜沉积方法，上述保护膜沉积方法包含于基板的发光二极管的上部通过原子层沉积制程沉积第一保护膜的步骤；以及于上述第一保护膜的上部通过化学气相沉积制程沉积至少一个追加保护膜的步骤。
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公开(公告)号：CN111556907A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201880084511.2
申请日：2018-12-13
Applicant: POSCO公司
IPC: C23C16/40 , C21D8/12 , C21D9/46 , C23C16/505 , C23C16/56 , C23C16/452 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种制造超低铁损取向电工钢板的方法。本发明的制造取向电工钢板的方法包括将钢坯进行再加热、热轧、热轧板退火、冷轧、一次再结晶退火和二次再结晶退火的工艺，其中，利用常压等离子体化学气相沉积工艺(APP-CVD)，在等离子体状态下，使气相的陶瓷前体进行接触反应，从而在经过所述一次再结晶退火处理的钢板的一面或两面的一部分或全部形成陶瓷涂层，然后进行二次再结晶退火。
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公开(公告)号：CN107385414A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710232006.5
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社菲尔科技
IPC: C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供在室温下高速且被覆性良好地成膜化合物的膜的方法。该方法的膜形成装置具备分别蓄积第一原料气体和第二原料气体的蓄积机构、对第一原料气体及第二原料气体进行加热的瞬间加热部、和放置有温度低于瞬间加热部的加热温度的基体的反应室，将在蓄积机构蓄积的第一原料气体和第二原料气体通过瞬间加热部而生成第一气体分子种和第二气体分子种，使该第一气体分子种和第二气体分子种向放置有基体且被减压的一定容量的反应室突出而进行供给，使第一气体分子种的分压和第二气体分子种的分压急剧上升，对基体的表面交替反复导入第一气体分子种或第二气体分子种，使第一气体分子种或第二气体分子种发生反应，从而在基体的表面形成化合物膜。
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公开(公告)号：CN104746044B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310738635.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 袁福顺
IPC: C23C16/453 , C23C16/452 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及反应腔室及等离子体加工设备，包括腔室顶壁、冷却单元和测温单元；冷却单元用于向腔室顶壁喷淋冷却水；测温单元包括温度传感器和环形挡板，腔室顶壁上设有透明窗口，温度传感器设于腔室顶壁上方，且与透明窗口相对应的位置处，用以透过透明窗口检测反应腔室的内部温度；环形挡板用于将透明窗口与冷却水隔离，以防止冷却水流入透明窗口上，在环形挡板内周壁上设有环绕内周壁一周的凹部，且凹部开口向上倾斜；在凹部内设有排水孔，用以将流入凹部的冷却水排出。上述反应腔室可使溅入到环形挡板内周壁上的冷却水沿环形挡板内周壁流入到凹部内，并经排水口排出，从而避免了冷却水流入到透明窗口上，对温度传感器的检测准确性造成不良影响。
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公开(公告)号：CN102958832B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180032694.1
申请日：2011-06-22
Applicant: 韩华泰科株式会社
IPC: C23C16/26 , C01B31/02 , C23C16/452
CPC classification number: C01B32/184 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 一种石墨烯制造设备，包括：供气单元，用于供应包含碳的气体；气体加热单元，用于加热从供气单元供应的气体；沉积室，具有催化剂层的基底设置在沉积室中；进气管，用于将气体加热单元的气体引入到沉积室中。沉积室的温度被设置为低于气体加热单元的温度，从而可以扩大与在催化剂层中将要采用的催化剂金属有关的选择范围，由于高温热量对基底造成的损坏可被最小化。
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