聚酰亚胺膜
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105295043A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510282689.6

    申请日:2015-05-28

    Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺膜。本发明的目的在于得到膜的尺寸变化得以减小、并且MD与TD的热膨胀系数差小而呈各向同性、适合于半导体封装体用途、半导体制造工艺用途、显示器用途、太阳能电池基板、细节距电路用基板等要求尺寸稳定性的用途的聚酰亚胺膜。一种聚酰亚胺膜,使用含有对苯二胺的芳香族二胺成分和酸酐成分而得到,其特征在于,使用岛津制作所制造的TMA-50在测定温度范围为50~200℃、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测定而得到的膜的机械输送方向(MD)的热膨胀系数αMD和宽度方向(TD)的热膨胀系数αTD这两者在0ppm/℃以上且小于7.0ppm/℃的范围内,且满足|αMD-αTD|<3的关系。

    聚酰亚胺膜
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105295043B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201510282689.6

    申请日:2015-05-28

    Abstract: 本发明涉及聚酰亚胺膜。本发明的目的在于得到膜的尺寸变化得以减小、并且MD与TD的热膨胀系数差小而呈各向同性、适合于半导体封装体用途、半导体制造工艺用途、显示器用途、太阳能电池基板、细节距电路用基板等要求尺寸稳定性的用途的聚酰亚胺膜。一种聚酰亚胺膜,使用含有对苯二胺的芳香族二胺成分和酸酐成分而得到,其特征在于,使用岛津制作所制造的TMA‑50在测定温度范围为50~200℃、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测定而得到的膜的机械输送方向(MD)的热膨胀系数αMD和宽度方向(TD)的热膨胀系数αTD这两者在0ppm/℃以上且小于7.0ppm/℃的范围内,且满足|αMD‑αTD|<3的关系。

    聚酰亚胺膜
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104327504A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410350655.1

    申请日:2014-07-22

    Abstract: 本发明提供尺寸稳定性优良、适合于细节距电路用基板、特别是在膜宽度方向上以窄节距布线的COF(Chip on Film)用途的聚酰亚胺膜及以该聚酰亚胺膜作为基材的覆铜箔层压体。一种聚酰亚胺膜,使用含有对苯二胺的芳香族二胺成分和酸酐成分而得到,其特征在于,使用岛津制作所制造的TMA-50在测定温度范围为50~200℃、升温速度为10℃/分钟的条件下进行测定而得到的膜的机械输送方向(MD)的热膨胀系数αMD在2.0ppm/℃以上且小于10.0ppm/℃的范围内,宽度方向(TD)的热膨胀系数αTD在-2.0ppm/℃以上且3.5ppm/℃以下的范围内,且满足|αMD|≥|αTD|×2.0的关系。

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