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公开(公告)号：CN117591883B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202311615260.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京机械工业自动化研究所有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F18/214
Abstract: 本发明实施例公开了一种工业分布式边缘智能模型执行方法和系统，其中，方法包括：工业云服务器获取特定应用的深度学习模型并进行中心化训练；工业云服务器根据工业边缘设备的算力，将所述深度学习模型分割为多个子模型，并将所述多个子模型部署于多个工业边缘设备；各工业边缘设备通过数据采集组件实时采集现场数据，并根据各子模型的执行模式和数据来源，基于现场数据周期性执行各子模型；其中，各工业边缘设备相互独立，一工业边缘设备更新一子模型在当前周期的输出数据时，其它工业边缘设备能够用于更新其它子模型在其它周期的输出数据。本实施例提高模型的现场数据流的响应效率。
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公开(公告)号：CN104733522B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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公开(公告)号：CN105450185A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510939307.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/42 , H03F1/0288 , H03F3/213 , H03F3/217 , H03F2200/36
Abstract: 本发明公开了一种可重构高效率高线性宽带功率放大方法及放大器，放大器中不等分威尔金森功分器的一个输出端接载波功率放大器，另一个输出端接峰值功率放大器，载波功率放大器通过1/4波长阻抗变换器与功率合成器的一个输入端连接，峰值功率放大器的输出端接功率合成器的另一个输入端，功率合成器的输入端接负载调制网络；所述的负载调制网络，在传统的1/4波长传输线后再并联一段1/4波长传输线；拓宽了传统的Doherty的带宽；本发明可极大抑制“有效”负载阻抗随工作频率的漂移，从而提升Doherty放大器带宽这为提升Doherty放大器的整体带宽提供了保证。
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公开(公告)号：CN101817182B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010136035.X
申请日：2010-03-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种智能移动机械臂控制系统。现有的控制系统层次性、结构性、远程操作性差。本发明中的便携式计算机与嵌入式工控计算机信号连接，激光传感器、全球定位系统、三维数字罗盘、USB/CAN总线、图像采集卡、无线摄像机和网络交换机分别与嵌入式工控计算机信号连接；云台摄像头与图像采集卡信号连接，无线访问节点与网络交换机信号连接；自主导航小车控制器、手臂区域控制器、手臂关节模块分别与USB/CAN总线信号连接，陀螺仪、超声波传感器、碰撞开关和左右轮电机伺服驱动器分别与自主导航小车控制器信号连接。本发明能够分别对自主移动小车和模块化机械臂进行远程控制，层次分明，降低上位机的开销。
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公开(公告)号：CN116930711A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310893598.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法。本发明设计的版图结构能够在12个pad中放下14个器件，解决同时提供高测量精度并节省布局空间的问题。本发明布局满足如下条件：①使用相同焊盘B；②版图结构中NMOS1、NMOS3、NMOS5、NMOS7、NMOS9、NMOS11和NMOS13共享相同的一个sourcepadS1和一个gatepadG1；③版图结构中的NMOS2、NMOS4、NMOS6、NMOS8、NMOS10、NMOS12和NMOS14共享相同的另一个sourcepadS2和另一个gatepadG2；④NMOS1和NMOS2共享相同的一个drainpadD1。同时本发明通过测量IdVg和IdVd，消除版图结构中产生的寄生电阻的方法。本发明解决了同时提供高测量精度并节省布局空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110067417B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910298221.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 一种阿基米德上升式自行车停车装置，属于自行车停车装置技术领域。本发明包括支撑框架、设于支撑框架边侧的多根竖直光轴、滑动连接于竖直光轴的前轮夹持机构、设于支撑框架内并配合前轮夹持机构的升降机构、设于支撑框架顶部的停车机构；升降机构包括内部支架、绕于内部支架外侧的螺旋轨道、设于内部支架顶部的第一旋转齿轮组、设于支撑框架顶部的第一驱动电机；前轮夹持机构上设有配合螺旋轨道的滚动球；停车机构包括顶棚、设于顶棚下方的多个挂车钩、设于挂车钩上的移动锁块。本发明能够利用较小的空间，方便地停放多辆自行车，解决了自行车乱停乱放所造成的城市问题。
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公开(公告)号：CN116976276A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310896847.1
申请日：2023-07-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种基于电路版图的提高电路设计精度的方法。本发明首先将电路里配对的mosfet连接到测试设备中，然后在外接端点上添加应用激励，从而判断配对的两颗mosfet的性能，对其中性能相对更好的器件进行器件老化，通过老化方法使得性能相对好的器件匹配性能相对差的器件，从而消除工艺局部偏差，使得总体性能匹配。本发明主要应用于对电路性能有较高要求的芯片产品中，且本发明无需修改电路设计，操作方便，且能够真实的削减芯片的局部偏差。本发明的老化过程可以在通常的HTOL测试流程中完成，即无需增加额外的步骤，便可以对芯片级进行电路性能调整。
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公开(公告)号：CN110067417A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910298221.4
申请日：2019-04-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 一种阿基米德上升式自行车停车装置，属于自行车停车装置技术领域。本发明包括支撑框架、设于支撑框架边侧的多根竖直光轴、滑动连接于竖直光轴的前轮夹持机构、设于支撑框架内并配合前轮夹持机构的升降机构、设于支撑框架顶部的停车机构；升降机构包括内部支架、绕于内部支架外侧的螺旋轨道、设于内部支架顶部的第一旋转齿轮组、设于支撑框架顶部的第一驱动电机；前轮夹持机构上设有配合螺旋轨道的滚动球；停车机构包括顶棚、设于顶棚下方的多个挂车钩、设于挂车钩上的移动锁块。本发明能够利用较小的空间，方便地停放多辆自行车，解决了自行车乱停乱放所造成的城市问题。
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公开(公告)号：CN104883171A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510282496.0
申请日：2015-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高隔离度、低衬底泄露的射频开关电路，将传统的单刀多掷开关电路，多掷分组，每组并联不超过4掷，每掷由一个串联MOSFET管和一个并联MOSFET管组成，每组电路再串联一个MOSFET管，然后相互并联到主通路；每个MOSFET管的衬底都串联一个电容，电容的另一端接地；电路中栅极控制电压接在每个MOS管的栅极，衬底控制电压接在衬底与电容间的节点上。本发明结构较为简单、功耗小、电路集成度高。
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公开(公告)号：CN104733522A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h-BN移除层；然后在h-BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h-BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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