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发明公开
基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法审中-实审

公开(公告)号：CN119710941A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411915875.4

申请日：2024-12-24

Applicant: 杭州睿昇半导体科技有限公司

Inventor： 丁鼎 , 陈敏坚 , 耿健 , 周长松

IPC: C30B33/10 , C30B29/06 , G06F17/10

Abstract: 本发明公开了基于多阶段蚀刻的单晶硅表面处理方法，涉及半导体材料表面处理技术领域，包括在单晶硅基底表面涂覆光刻胶层，通过光刻工艺在所述光刻胶层形成预设图形的掩膜；采用第一蚀刻液对所述单晶硅基底进行初步蚀刻；向所述第一蚀刻液中加入异丙醇添加剂，调节所述异丙醇添加剂的浓度为5‑10wt%，继续蚀刻所述单晶硅基底；用去离子水清洗所述单晶硅基底表面，随后采用第二蚀刻液对所述单晶硅基底进行精细蚀刻；利用氮气吹干所述单晶硅基底表面，得到具有预设图形结构的单晶硅基底。本发明通过精确控制光刻和蚀刻工艺，实现了高精度、稳定性强的单晶硅基底预处理与图形结构形成过程。

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