公开(公告)号：CN111099554A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911197944.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郭西 ,  郁发新 ,  王立平 ,  张兵 ,  周琪 ,  李里 ,  康宏毅 ,  宋启河 ,  徐思凯 ,  冯光建

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。

公开(公告)号：CN110739231A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910905485.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郁发新 ,  冯光建 ,  王志宇 ,  张兵 ,  周琪

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L25/16 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠射频光模块制作方法，具体包括如下步骤：101)射频转接板制作步骤、102)散热转接板制作步骤、103)多层键合步骤、104)封盖转接板制作步骤、105)芯片联通步骤、106)模组键合步骤；本发明通过多层堆叠工艺把面积较大的芯片上下放置，通过TSV工艺把芯片的电信号引出，然后在模组的顶部设置光电芯片，把射频信号通过光信号的方式传出或者接入，这样可以大大增加光模块的集成度的一种三维堆叠射频光模块制作方法。

公开(公告)号：CN110729273A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910905501.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郁发新 ,  冯光建 ,  王立平 ,  王志宇 ,  周琪

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种芯片嵌入式三维异构互联结构及其制作方法，载板上设置芯片安置槽、TSV孔，TSV孔内覆盖导电金属，TSV孔下方设置连接金属；连接金属使设置在芯片安置槽内的射频芯片与TSV孔上的导电金属联通；射频芯片表面的PAD与载板上表面上的RDL联通；本发明提供具有简化工艺难度，接地电路设计简单的一种芯片嵌入式三维异构互联结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN110729200A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910904843.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郁发新 ,  冯光建 ,  王志宇 ,  张兵 ,  周琪

IPC: H01L21/48 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法，具体包括如下步骤：101)标尺制作步骤、102)TSV孔制作步骤、103)键合步骤；本发明提供能满足多种液体流速需求的一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法。

公开(公告)号：CN110729174A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910904891.6

申请日：2019-09-24

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郁发新 ,  冯光建 ,  王立平 ,  王志宇 ,  张兵

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠对准方法，具体包括如下步骤：101)基础芯片安置步骤、102)叠加芯片定位步骤、103)键合步骤；本发明提供避免了芯片键合过程中误差的一种三维堆叠对准方法。

公开(公告)号：CN110010567A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811650212.9

申请日：2018-12-31

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 张兵 ,  冯光建 ,  王志宇 ,  周琪 ,  张勋 ,  郁发新

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种大功率系统级射频模块的液冷散热互联结构及其制作方法，包括固定转接板、底座转接板，固定转接板和底座转接板键合；固定转接板上设置凹槽和微流槽，凹槽和微流槽互通，凹槽深度大于微流槽，凹槽宽度小于微流槽；底座转接板上设置进液孔、出液孔和固定槽，进液孔、出液孔尺寸相同，固定槽设置在进液孔和出液孔之间；固定槽的深度小于等于进液孔、出液孔；本发明提供可以安插射频模块的结构，完成射频模块和液相散热结构互联的一种大功率系统级射频模块的液冷散热互联结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN108270453A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810290214.5

申请日：2018-04-03

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 张辉 ,  颜国国 ,  娄肖萌 ,  孙宏杰 ,  郁发新

IPC: H04B1/00 ,  H04B1/401

CPC classification number: H04B1/0057 ,  H04B1/006 ,  H04B1/401

Abstract: 本发明提出了一种单天线并行收发的射频前端架构，包括信号放大模块、滤波器、开关模块、控制器和天线；信号放大模块通过滤波器与开关模块相连，开关模块的另一端与天线相连，控制器与信号放大模块和开关模块相连并进行控制；信号放大模块包括两个功率放大器电路和两个低噪声放大器电路；开关模块包括两个单刀双掷射频开关，一个双刀四掷射频开关，一个单刀三掷射频开关和一个宽带功分器。本发明将宽带功分器应用于开关模块内，结合射频开关的切换功能，配合单个天线，不仅可以实现单路信号的收发，也能实现两路信号并行收发，提升了系统电路的集成度，减少了天线的数量。宽带功分器的引入提高了两个并行通道的隔离度，增强了前端系统的稳定性。

公开(公告)号：CN111170271A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911387767.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郭西 ,  郁发新 ,  张兵 ,  李里 ,  康宏毅 ,  徐思凯 ,  冯光建

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，具体包括如下步骤：101)裸芯制备步骤、102)裸芯修正步骤、103)制备步骤；本发明提供了加工成本低，降低芯片的损伤可能性，提高处理工艺可靠性的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。

公开(公告)号：CN110010571A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811633992.6

申请日：2018-12-29

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 冯光建 ,  王志宇 ,  张兵 ,  周琪 ,  张勋 ,  郁发新

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法，包括盖板、底座，盖板与底座键合；盖板上表面的两端设置进水口、出水口，盖板中间设置放置芯片的凹槽；底座相应进水口、出水口的位置处设置槽口，底座中间设置流通槽，流通槽横截面呈矩形，流通槽与槽口之间设置通道；本发明提供高效的水冷散热的一种大功率射频芯片系统级封装用的水冷沟槽结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN108598644A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810382797.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 张辉 ,  党黎黎 ,  郁发新

IPC: H01P3/18

CPC classification number: H01P3/18

Abstract: 本发明公开了一种n层射频基板及设计方法，所述的射频基板包括n层基板衬底和n-1层填充介质，n≥4；所述的基板衬底由上至下依次为第一金属层至第n金属层，依次记为M1至Mn，其中Mn接地；所述的n层基板衬底之间均由介质填充，共有n-1层，从上到下依次为第一介质层至第n-1介质层，介电常数依次记为ε1至ε(n-1)，厚度依次记为d1至d(n-1)；通过选择ε1和d1来调节M1-M2层叠耦合器的性能，通过选择ε2和d2来调节M1-M2绕线电感Q值，通过选择介电常数ε(n-1)和d(n-1)来调节到地电容，通过选择d(n-1)来调节隔离性能。本发明能够方便自主地根据需要进行选择，在优化性能的同时优化面积，从而在相同面积上实现更多的电子元器件功能，提高集成度。