公开(公告)号：CN111180423A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911387768.8

申请日：2019-12-30

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郭西 ,  郁发新 ,  周琪 ,  李里 ,  宋启河 ,  冯光建

IPC: H01L23/66

Abstract: 本发明公开了一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法，硅晶圆上包括TSV孔结构，TSV孔结构的内壁上设置种子层，且完全覆盖TSV孔结构的内壁；绝缘层设置在种子层上，且绝缘层完全覆盖种子层；TSV孔结构的内部填满玻璃介质，玻璃介质内设置通孔，通孔内设置信号线；本发明提供了避免环状孔的刻蚀与填充，从而大大减少缺陷与失效的一种用于射频微系统垂直互联的混合基通孔微同轴结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN111115560A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911197687.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郁发新 ,  郭西 ,  王立平 ,  张兵 ,  周琪 ,  李里 ,  宋启河 ,  康宏毅 ,  唐嘉浩 ,  孙靖 ,  冯光建

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)初步定形步骤、103)刻蚀终止层步骤；本发明提供了一种可以解决结构精度问题与结构缺陷问题的高效制作微系统模组的深硅空腔刻蚀方法。

公开(公告)号：CN111099554A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911197944.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郭西 ,  郁发新 ,  王立平 ,  张兵 ,  周琪 ,  李里 ,  康宏毅 ,  宋启河 ,  徐思凯 ,  冯光建

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)刻蚀深硅空腔步骤、103)加深刻蚀步骤、104)成型步骤；本发明提供了可以有力的提高结构精度，提高生产效率，减小工艺难度的一种微系统模组中硅空腔下TSV地互联孔结构的制作方法。

公开(公告)号：CN111170271A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911387767.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 郭西 ,  郁发新 ,  张兵 ,  李里 ,  康宏毅 ,  徐思凯 ,  冯光建

IPC: B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法，具体包括如下步骤：101)裸芯制备步骤、102)裸芯修正步骤、103)制备步骤；本发明提供了加工成本低，降低芯片的损伤可能性，提高处理工艺可靠性的一种嵌入式微系统模组中的芯片切割误差的协调方法。