半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111684608A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980011535.X

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 半导体装置(1)具有在平面视中在矩形状的半导体层(40)的第一区域(A1)中形成的晶体管(10)和在第二区域(A2)中形成的晶体管(20),在半导体层(40)的表面具有第一源极焊盘(111)、第一栅极焊盘(119)、第二源极焊盘(121)以及第二栅极焊盘(129),在平面视中,晶体管(10)和晶体管(20)在第一方向上排列,第一栅极焊盘(119)配置为,在与半导体层(40)的第一方向的一方的长边或另一方的长边之间、以及与第一区域(A1)和第二区域(A2)的边界之间,完全没有夹着第一源极焊盘(111),第二栅极焊盘(129)配置为,在与一方的长边或另一方的长边之间、以及与边界之间,完全没有夹着第二源极焊盘(121)。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111684582A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201980011546.8

    申请日:2019-01-25

    Abstract: 面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置(1),具备具有第1电极(11)、第2电极(21)、对第1电极(11)与第2电极(21)之间的导通状态进行控制的控制电极(55)的晶体管元件(100)以及多个第1电阻元件(110),多个第1电阻元件(110)的一方的电极均与第2电极(21)电连接,半导体装置(1)具有一个以上的外部电阻端子(30)、与第1电极(11)电连接的外部第1端子(10)、与控制电极(55)电连接的外部控制端子(40),多个第1电阻元件(110)的另一方的电极均与一个以上的外部电阻端子(30)中的任一个接触连接,一个以上的外部电阻端子(30)、外部第1端子(10)、外部控制端子(40)是被形成在半导体装置(1)的表面的外部连接端子。

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