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发明公开
半导体装置有权

公开(公告)号：CN111684609A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980011551.9

申请日：2019-02-08

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 田丸雅规 , 吉田一磨 , 大辻通也 , 福岛哲之

IPC: H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)，第1晶体管(T1)具有第1体层(113)、第1连接部(113A)，第2晶体管(T2)具有第2体层(123)、第2连接部(123A)，在第2连接部(123A)以及第2体层(123)的路径中，从第1源极电极(115)到第2体层(123)中阻抗成为最大的位置为止的第2阻抗，比在第1连接部(113A)以及第1体层(113)的路径中，从第1源极电极(115)到第1体层(113)中阻抗成为最大的位置为止的第1阻抗大。

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