公开(公告)号：CN107112281B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201580072311.1

申请日：2015-12-18

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 中西和幸 ,  松冈大辅

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H02H9/04 ,  G06F30/392

Abstract: 半导体装置(1)具备：第一电路，与接地电源线连接(112)；第二电路，与独立于接地电源线(112)的接地电源线(122)连接，由多个标准单元(23至25)构成；以及保护电路，介于并连接于第一电路以及第二电路之间，保护电路，包括：电阻元件(211)，串联连接于第一电路与第二电路之间；以及保护元件，介于并连接于电阻元件(211)的第二电路侧的节点、与接地电源线(122)之间，将该节点与该接地电源线(122)之间的电位差保持在规定的电压以下，保护电路被形成在保护单元(21以及22)，保护单元(21以及22)是被配置在域(20)的、单元高度为标准单元(23至25)的整数倍的单元。