公开(公告)号：CN100442452C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。

公开(公告)号：CN102918640A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180025856.9

申请日：2011-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  三宅清郎

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B44C1/227 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/681 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771

Abstract: 等离子体处理装置(1)具备贮存部(2)、处理室(5)及校准室(4)。贮存部(2)供给和回收在贯通厚度方向的多个容纳孔(7a)的每一个中容纳了晶片(W)的可传送的托盘(7)。在处理室(5)中，对被容纳在从贮存部(2)供给的托盘(7)中的晶片(W)执行等离子体处理。校准室(4)具备搭载等离子体处理前的托盘(7)的旋转台(41)，进行旋转台(41)上的晶片(W)的定位。控制装置(6)的有无晶片判定部(6a)基于来自有无晶片检测传感器(44A、44B)的信号，判定搭载于校准室(4)的旋转台(41)上的托盘(7)的各容纳孔(7a)内是否存在晶片(W)。

公开(公告)号：CN1886824A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。