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公开(公告)号：CN101351871A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680050274.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32082
Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。
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公开(公告)号：CN1110832A
公开(公告)日：1995-10-25
申请号：CN95100622.3
申请日：1995-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/30 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , H01J37/32165 , H01J37/32568
Abstract: 一种真空等离子处理装置。该装置在与基座13相对的真空处理容器11的绝缘体壁面上按栅格状排列凸球形的分电极15a、15b、15c，且分电极15a、15b、15c接有产生等离子区用的高频电源16a、16b、16c，施加分别相差120°相位的高频电压，从而可在被处理基板的上方产生均匀的高密度等离子区。
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公开(公告)号：CN100442452C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200480035546.5
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。
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公开(公告)号：CN103094043B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210436576.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。
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公开(公告)号：CN101351871B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200680050274.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32082
Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1220772A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括,边导入规定的气体边排气,在保持真空室(1)内规定的压力的同时,在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5),通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力,使真空室(1)内产生等离子体,在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时,通过外皮,由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12),在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间,设置隔热材料(13),通过带有区域层加热器(22)的内室(16),将真空室内加热到80℃以上。
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公开(公告)号：CN103718284A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037016.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/201 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/68785
Abstract: 干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。
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公开(公告)号：CN103094043A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210436576.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。
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公开(公告)号：CN1886824A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035546.5
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。
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公开(公告)号：CN1118090C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括，边导入规定的气体边排气，在保持真空室(1)内规定的压力的同时，在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5)，通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力，使真空室(1)内产生等离子体，在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时，通过外皮，由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12)，在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间，设置隔热材料(13)，通过带有区域层加热器(22)的内室(16)，将真空室内加热到80℃以上。
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