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公开(公告)号：CN100508385C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410078531.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/171 , H03H9/568
Abstract: 本发明提出了一种能够有效的抑制寄生分量并具有优良的频率特性的改良的薄膜体声波谐振器，包括：一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的周围的至少部分区域向外延伸的外围区域。该外围区域包括，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域。其中，直接位于声阻尼区域下的任何元件都具有比谐振器部分的一对电极中的下电极更粗糙的表面，在压电薄膜中，声阻尼区域采用与不是声阻尼区域的任何区域相同的材料构成，该声阻尼区域具有比不是声阻尼区域的任何区域都低的可结晶性。
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公开(公告)号：CN1595799A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078531.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/171 , H03H9/568
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器包括一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域。外围区域包括，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域。
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公开(公告)号：CN1614876A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410090557.5
申请日：2004-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03B5/30
CPC classification number: H03H9/173 , H03H3/04 , H03H2003/021
Abstract: 本发明涉及一种压电谐振器，该压电谐振器包括：一个基片(105)；一个设置在基片上的下电极(103)；一个设置在下电极上的压电部件(101)；一个设置在压电部件上的上电极(102)；以及一个设置在由下电极、压电部件和上电极所构成的振动部件下的空腔(104)。当振动部分的厚度为波长一半时的振动谐振频率定义为fr1，形成空腔材料中的超声波平均速度定义为Vc2，根据谐振频率fr1和超声波平均速度Vc2所确定的数值定义为λc(＝Vc2/fr1)时，则空腔的深度t2可设置为如式Ⅰ所示，式中n是一个任意自然数。
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公开(公告)号：CN101340180B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810144271.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/171 , H03H9/568
Abstract: 本发明旨在提供一种薄膜体声波谐振器(100)，包括：压电薄膜(103)以及一对将压电薄膜插入在其中的电极(101，102)；其特征在于：所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少一部分向外延伸的外围区域(104)，外围区域，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105)，所述声阻尼区域包括在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类原子(29)，并且，在压电薄膜中，声阻尼区域采用与不是声阻尼区域的任何区域相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN101340181A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810144272.3
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/171 , H03H9/568
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器包括一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域。外围区域包括，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1619958A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410095671.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/605 , H03H9/6433
Abstract: 串联压电谐振器(11)以串联方式连接在输入端(15a)和输出端(15b)之间。并联压电谐振器(12a)的第一电极连接至在输入端(15a)和串联压电谐振器(11)之间的连接点，以及并联压电谐振器(12a)的第二电极连接至电感器(13a)的第一端。并联压电谐振器(12b)的第一电极连接至在串联压电谐振器(11)和输出端(15b)之间的连接点，并联压电谐振器(12b)的第二电极连接至电感器(13b)的第一端。电感器(13a，13b)的第二端都接地。附加压电谐振器(14)连接在并联压电谐振器(12a)的第二电极和并联压电谐振器(12b)的第二电极之间。
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公开(公告)号：CN1619958B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200410095671.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/605 , H03H9/6433
Abstract: 串联压电谐振器(11)以串联方式连接在输入端(15a)和输出端(15b)之间。并联压电谐振器(12a)的第一电极连接至在输入端(15a)和串联压电谐振器(11)之间的连接点，以及并联压电谐振器(12a)的第二电极连接至电感器(13a)的第一端。并联压电谐振器(12b)的第一电极连接至在串联压电谐振器(11)和输出端(15b)之间的连接点，并联压电谐振器(12b)的第二电极连接至电感器(13b)的第一端。电感器(13a，13b)的第二端都接地。附加压电谐振器(14)连接在并联压电谐振器(12a)的第二电极和并联压电谐振器(12b)的第二电极之间。
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公开(公告)号：CN1599244B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410078757.9
申请日：2004-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/588 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/0211 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/585 , H03H9/589
Abstract: 本发明的压电谐振器构建成在其中形成谐振腔的基片上，以自底向上的顺序形成下部电极、压电体、寄生成分控制层和上部电极。该寄生成分控制层是控制寄生频率的层，由例如金属材料、绝缘材料或压电体材料构成。通过附加设置寄生成分控制层，可使由于不需要的变化产生的寄生频率的变化，变得比该压电谐振器的主谐振的谐振频率变化更大。因此，可实现具有在谐振频率fr和反谐振频率fa之间没有寄生成分产生的导纳频率响应的压电谐振器。
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公开(公告)号：CN101340180A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810144271.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/171 , H03H9/568
Abstract: 一种薄膜体声波谐振器包括一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域。外围区域包括，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域。
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公开(公告)号：CN1619944A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410090545.2
申请日：2004-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03B5/30
CPC classification number: H03H3/04 , H03H9/0211 , H03H9/173 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电谐振器包括：一个基片；一个形成在基片上的下电极；一个形成在下电极上的压电体；一个形成在压电体上的上电极；以及在由下电极、压电体和上电极所形成的振动部分下的空腔；其中，当振动部分的厚度为波长一半时的振动谐振频率定义为fr，形成空腔材料中的声的平均速度定义为Vc，根据谐振频率fr和声平均速度Vc所确定的数值定义为λc(＝Vc/fr)时，则空腔的深度可设置为等于和大于n×λc/2－λc/8和等于和小于n×λc/2+λc/8。
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