公开(公告)号：CN1076519C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN94120036.1

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  二河秀夫 ,  中川聪

IPC: H01L21/3205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32135 ,  Y10S148/014

Abstract: 在已经做好电路元件和引线的衬底上，对绝缘底层(4)、下电极用Pt层(3)、电介质膜(2)和上电极用Pt层(1)进行光刻成形。然后，采用含S成份的腐蚀气体，在组成Pt和S的化合物的同时腐蚀上电极用Pt层(1)或下电极用Pt层(3)，或首先组成Pt和S的化合物，然后再腐蚀化合物的办法，来形成上电极(ls)、电容绝缘膜(2a)以及下电极(3a)。

公开(公告)号：CN1129958C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN97102155.4

申请日：1997-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川聪 ,  伊东丰二 ,  尾藤阳二 ,  长野能久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136

Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40%的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。