公开(公告)号：CN1076519C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN94120036.1

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  二河秀夫 ,  中川聪

IPC: H01L21/3205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32135 ,  Y10S148/014

Abstract: 在已经做好电路元件和引线的衬底上，对绝缘底层(4)、下电极用Pt层(3)、电介质膜(2)和上电极用Pt层(1)进行光刻成形。然后，采用含S成份的腐蚀气体，在组成Pt和S的化合物的同时腐蚀上电极用Pt层(1)或下电极用Pt层(3)，或首先组成Pt和S的化合物，然后再腐蚀化合物的办法，来形成上电极(ls)、电容绝缘膜(2a)以及下电极(3a)。

公开(公告)号：CN1134829C

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN97191880.5

申请日：1997-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今井伸一 ,  二河秀夫 ,  地割信浩

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/3065

Abstract: 在半导体制造装置的反应室(7)内的下部电极(3)上的硅衬底(6)的周围配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的硅环(12)，在硅衬底(6)的上方配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的上部硅电极(5)，通过使用C2F6作为导入反应室(7)内的气体，能从制造装置工作的起始状态起有效地清除氟元素，提供与现有装置相比能够缩短半导体器件老化时间的半导体器件的制造装置。

公开(公告)号：CN1213456A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种模样形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后,在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂模样(15),以抗蚀剂模样(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻、形成防反射膜模样,用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂模样形成的模样形成方法。

公开(公告)号：CN1107342C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN97192931.9

申请日：1997-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大国充弘 ,  久吴俊介 ,  佐佐木智幸 ,  立岩健二 ,  二河秀夫

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F7/091 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种图案形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后，在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂图案(15)，以抗蚀剂图案(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻、形成防反射膜图案，用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂图案形成的图案形成方法。