公开(公告)号：CN1846286A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025316.0

申请日：2004-09-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林信和 ,  尾中和弘 ,  仲尾幸夫 ,  田川正孝 ,  锅谷公志 ,  山口雅子

IPC: H01F10/16 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。

公开(公告)号：CN100547701C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200480025316.0

申请日：2004-09-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林信和 ,  尾中和弘 ,  仲尾幸夫 ,  田川正孝 ,  锅谷公志 ,  山口雅子

IPC: H01F10/16 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。