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公开(公告)号：CN100547701C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200480025316.0
申请日：2004-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1608197A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02826222.0
申请日：2002-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 尾中和弘
Abstract: 本发明揭示一种方位传感器，具有设置在基板主表面、其长度方向互相垂直而且串联连接的分别具有至少2个检测元件的第1及第2桥式电路，还具有分别在与该第1及第2桥式电路相对位置设置的第1及第2偏磁施加单元。该偏磁施加单元的磁场方向互相不同。该方位传感器由于不用支架及线圈，因此能够小型化。
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公开(公告)号：CN1178175C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN02119798.9
申请日：2002-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G07D7/00
CPC classification number: G07D7/04
Abstract: 一种磁性传感器，把设置在基板表面的人工栅极磁性电阻元件，和该人工栅极磁性电阻元件引出的布线端子用树脂密封为一体地形成保持体；在设置在基板背面一侧的保持体的凹部，设置有在垂直于人工栅极磁性电阻元件安装方向施加辅助磁场的磁石。由此提供一种灵敏度高的磁性传感器和利用其的纸币识别装置。
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公开(公告)号：CN1682386A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821294.3
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F10/3231 , H01F10/3236 , H01F41/32
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件及其制造方法和使用方法，该磁致电阻效应元件包括：在基板(1)上的一部分上，把磁性薄膜与金属非磁性薄膜交替地层叠两层或更多层，以预定的图形形状形成的金属人工晶格膜(4)；覆盖金属人工晶格膜(4)而形成的第一保护膜(5)；以及在第一保护膜(5)上形成的第二保护膜(6)，第一保护膜(5)的残余应力实质上为零，第二保护膜(6)由具有阻止水分透过能力的材料构成。由此，能够实现即使在高温状态下也不产生磁滞、特性不劣化、耐热性和耐蚀性方面良好的磁致电阻效应元件，在汽车用等苛刻的环境中也能够适用。
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公开(公告)号：CN1385816A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02119798.9
申请日：2002-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G07D7/00
CPC classification number: G07D7/04
Abstract: 一种磁性传感器,把设置在基板表面的人工栅极MR元件,和该人工栅极MR元件引出的布线端子用树脂密封为一体地形成保持体;在设置在基板背面一侧的保持体的凹部,设置有在垂直于人工栅极MR元件安装方向施加辅助磁场的磁石。由此提供一种灵敏度高的磁性传感器和利用其的纸币识别装置。
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公开(公告)号：CN1846286A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025316.0
申请日：2004-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。
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