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公开(公告)号：CN101697485B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200910177317.1
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03K17/687 , H03K17/30 , G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , H03K17/302 , H03K17/6872 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给所述内部电路以控制该内部电路的MIS晶体管的阈值电压；漏电流检测电路，具有漏电流检测MIS晶体管和比较器，对于该漏电流检测MIS晶体管而言，将任意的电位的电源电压提供给源极，漏极与栅极连接并连接到恒流源，并由所述衬底电压控制块控制衬底电压，而所述比较器用于比较所述漏电流检测MIS晶体管的漏极电位和预定参考电位。其中，所述衬底电压控制块基于所述比较器的比较结果生成衬底电压，将所生成的衬底电压施加到所述漏电流检测MIS晶体管的衬底和所述内部电路的MIS晶体管的衬底。
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公开(公告)号：CN100365937C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410034649.1
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03M1/06
CPC classification number: H03M1/1019 , H03M1/66
Abstract: 在用来测量D/A转换器的DC偏置的比较器的前一级提供输入转换开关，并且在后一级提供极性改变电路。由补偿值产生电路产生第一补偿值，然后将其存储在寄存器中。通过切换输入转换开关和极性改变电路来产生第二补偿值，然后将其存储在寄存器中。通过用补偿值计算电路平均第一和第二补偿值来计算第三补偿值，然后，从主D/A转换器的模拟输出电压中减去通过偏置补偿D/A转换器根据该补偿值获得的模拟输出电压。因此，补偿了D/A转换器的DC偏置。
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公开(公告)号：CN1905192A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108114.3
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , G05F1/56 , G01R19/00
CPC classification number: G01R31/2621 , H03K17/302 , H03K17/6872 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有衬底电压控制块，将衬底电压提供给内部电路以及控制内部电路的NchMOS晶体管阈值电压，以及漏电流检测电路，由将高电位端电源电压提供给漏极、具有连接到恒流源的源极以及将任何稳定电位施加到栅极，以这种方式，由衬底电压控制块控制衬底电压的漏电流检测NchMOS晶体管和比较漏电流检测NchMOS晶体管的源极电位和预定参考电位的比较器构成。
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公开(公告)号：CN1285116C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410031368.0
申请日：2004-01-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F1/10
Abstract: 本发明提供一种通过进行包括在每一分级块中的时钟延迟同步的时序控制和考虑到分级顶部上的时钟延迟的同步的时序控制来调节时钟延迟的方法。一种半导体集成电路器件的时钟延迟调节方法，其中根据分级块的电路设计条件提供多个用于调节时钟延迟的源点以便对从半导体芯片中的每一分级块的每一源点到要与时钟同步操作的时钟输入电路的时钟延迟值进行同步，并且在源点提供区域终端，并且通过时钟线连接半导体芯片的时钟输入端和每一区域终端以便在分级项上进行时钟分布，并调节在分级块之间的时钟延迟。
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公开(公告)号：CN1521834A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410031368.0
申请日：2004-01-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F1/10
Abstract: 本发明提供一种通过进行包括在每一分级块中的时钟延迟同步的时序控制和考虑到分级顶部上的时钟延迟的同步的时序控制来调节时钟延迟的方法。一种半导体集成电路器件的时钟延迟调节方法，其中根据分级块的电路设计条件提供多个用于调节时钟延迟的源点以便对从半导体芯片中的每一分级块的每一源点到要与时钟同步操作的时钟输入电路的时钟延迟值进行同步，并且在源点提供区域终端，并且通过时钟线连接半导体芯片的时钟输入端和每一区域终端以便在分级顶上进行时钟分布，并调节在分级块之间的时钟延迟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1518230A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001380.7
申请日：2004-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
CPC classification number: H03M1/1019 , H03M1/66
Abstract: 在用于测量数模转换器的直流偏移的比较器的前级通过一个输入改变开关，并且在后级通过一个选择性极性反转电路。第一补偿值由补偿值产生部件产生，然后被存储在寄存器中。然后，第二补偿值通过转换输入改变开关和极性反转电路被产生，并且被存储在寄存器中。然后通过由补偿值计算电路平均第一补偿值和第二补偿值来计算第三补偿值。然后，使用这个补偿值来补偿数模转换器的直流偏移。因此，它使能通过取消在数模转换器的直流偏移补偿中使用的比较器本身中包括的直流偏移来实现直流偏移的精确直流偏移补偿。
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公开(公告)号：CN101425801B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810182658.3
申请日：2006-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/1203 , H03K19/0016
Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在硅-绝缘体结构的硅衬底上的金属绝缘半导体晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位以及N沟道金属绝缘半导体晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。
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公开(公告)号：CN101128929B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200680006243.X
申请日：2006-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L29/786 , H03K17/687 , H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/0948 , H03K17/30
CPC classification number: H01L27/1203 , H03K19/0016
Abstract: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中，各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成，并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组，多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压，控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值，并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压，电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示，分别对所述多个电源布线产生电压。
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公开(公告)号：CN101697485A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910177317.1
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03K17/687 , H03K17/30 , G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2621 , H03K17/302 , H03K17/6872 , H03K2217/0018
Abstract: 半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给所述内部电路以控制该内部电路的MIS晶体管的阈值电压；漏电流检测电路，具有漏电流检测MIS晶体管和比较器，对于该漏电流检测MIS晶体管而言，将任意的电位的电源电压提供给源极，漏极与栅极连接并连接到恒流源，并由所述衬底电压控制块控制衬底电压，而所述比较器用于比较所述漏电流检测MIS晶体管的漏极电位和预定参考电位。其中，所述衬底电压控制块基于所述比较器的比较结果生成衬底电压，将所生成的衬底电压施加到所述漏电流检测MIS晶体管的衬底和所述内部电路的MIS晶体管的衬底。
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公开(公告)号：CN101150313A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710152850.3
申请日：2007-09-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 伊藤稔
IPC: H03K19/02 , H03K19/0944 , H03K19/173 , H03K17/22
CPC classification number: G06F1/3203 , G06F1/3275 , Y02D10/14
Abstract: 提供一种利用了ZSCCMOS电路的半导体集成电路装置，具有组合电路(10)，该组合电路(10)包括多个逻辑门电路(11～14)，接收数据保持电路(21、22)的输出。数据保持电路(21、22)在电源切断时能够继续数据的保持，且在作为控制信号NS被赋予了固定值时，输出规定的固定值。在数据保持电路(21、22)的输出为规定的固定值时，输出“L”的逻辑门电路(11、13)其电源端与模拟电源线VDDV和低电位电源线VSS连接，输出“H”的逻辑门电路(12、14)其电源端与高电位电源线VDD和模拟电源线VSSV连接。由此，当电源切断时，组合电路的各逻辑门电路的输出成为期望的状态，且在电源恢复时，组合电路可靠地返回到电源切断前的状态。
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