公开(公告)号：CN101582564A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910139065.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  永井洋希 ,  佐藤仁 ,  佐藤智也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/32325 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs类或AlGaAs类的活性层(23)被第1导电型包覆层(22)和有脊(24a)的第2导电型包覆层(24)夹持。当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。