公开(公告)号：CN1702849A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510072628.3

申请日：2005-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤直昭

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: 本发明公开了一种温度异常检测方法及半导体制造装置。本发明的目的在于：能够高精度地检测制造半导体装置时的温度异常。半导体制造装置，包括：加热晶片100的热平板101；控制热平板101的温度的温度控制部150；根据处理程序进行整个装置的控制的本体控制部152；存储热平板101的温度数据的存储部151；在热平板101上使晶片100升降的升降机构107；在控制升降结构107的同时，将升降时刻数据传送到存储部151的升降控制部153；根据温度数据、处理程序数据和升降时序数据，算出与具有倾斜度的过渡状态的温度数据变动相符的管理范围的管理范围算出部154；以及利用通过管理范围算出部154算出的管理范围，检测装置异常的异常检测部155。

公开(公告)号：CN101159230A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163062.4

申请日：2007-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤直昭 ,  今井伸一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345

Abstract: 本发明提供一种能够可靠地防止在包含铜等腐蚀性金属的配线上产生由超纯水引起的腐蚀的基板处理装置和基板处理方法。具有研磨部(2)，此研磨部(2)具有依次配置晶片，阶段性地研磨晶片表面的金属膜的多个研磨台板(P1～P3)。各研磨台板(P1～P3)间的晶片搬送由旋转头机构(4)同时进行。此外，将在最终段的研磨台板(P3)上被研磨的晶片依次搬入清洗部(3)进行清洗。从研磨部(2)向清洗部(3)的晶片搬送由装卸单元(5)、研磨后晶片反转单元(U2)和润湿机器人(R2)进行。然后，以在从最终段的研磨台板的研磨完成时刻开始的规定时间内开始对在最终段的所述研磨台板上被研磨的晶片的清洗处理的方式，由装置控制部(11)控制各部的动作。