-
公开(公告)号：CN1267378C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02143445.X
申请日：2002-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , H01B3/12 , H01L41/187 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/604 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/96 , H01P7/10
Abstract: 一种介电陶瓷(1)，由选自Zr、Ti和Mn的至少一种元素、选自Mg、Zn和Co的至少一种元素以及选自Nb和Ta的至少一种元素的复合氧化物的烧结物构成，且平均晶体粒径在10～70μm的范围。从而提供一种在微波波段较低频率区域，即0.4～2.4GHz中，无负荷(Qu)值与介电常数(εr)也高、可以实现预期的共振频率温度系数(τf)且机械强度高的介电陶瓷和介电器件。
-
公开(公告)号：CN1967742B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610068316.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/127 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/28 , H01F17/04 , H01F27/027 , H01F27/292 , H01F41/0246 , Y10S156/922 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/49021 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073 , Y10T29/49158 , Y10T29/49172 , Y10T29/49176 , Y10T29/4922 , Y10T29/49261 , Y10T29/49277 , Y10T156/1082 , Y10T156/11 , Y10T428/11 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供的复合磁性体，含有金属磁性体粉末和热硬化性树脂，金属磁性体粉末的填充率为65～90体积％，电阻率在104Ω·cm以上。若在这种复合磁性体中埋设线圈，可以获得电感值很大，且直流重叠特性优良的小型磁性元件。
-
公开(公告)号：CN1421874A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN01142470.2
申请日：2001-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/00 , H01L41/187 , H03H9/54 , H03H9/15
Abstract: 本发明提供不含铅、晶粒粒径小、耦合系数和机械Q大且频率常量大的压电瓷质组合物。该组合物的特征是用一般式：(LixNa1－x－yKy)z－2wMa2wNb1－wMbwO3表示，其中，0.03≤x≤0.2、0≤y≤0.2、0.98≤z≤1、0＜w≤0.05；Ma是选自碱土类金属中的至少1种；Mb是选自Bi、Sb和稀土类元素中的至少1种。
-
公开(公告)号：CN1969361A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000316.4
申请日：2006-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的发光装置具备：第1绝缘体(4)，其设置在相对的位置；发光体(2)，其介于第1绝缘体之间；第2绝缘体(5)，其作为第1绝缘体和该发光体的基台；电极(6)，其一部分与第1绝缘体相对或者配置第1绝缘体上；其他电极(10)，其与第2绝缘体接触，且使第2绝缘体介于到该电极之间；和透光性基板(8)，其在一部分中隔着第1绝缘体，且在其他一部分中隔着该发光体，与第2绝缘体相面对，在包含第1绝缘体、第2绝缘体、该发光体和该透光性基板的剖面中，延伸设置第1绝缘体到与该透光性基板接触时，由第1绝缘体、第2绝缘体和该透光性基板围成的区域的面积和该发光体所占的面积的关系被设定在规定的范围内。
-
公开(公告)号：CN1144772C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN01143344.2
申请日：2001-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C14/004 , C04B35/49 , H01G4/1245 , H01G4/1263 , H01G4/129
Abstract: 本发明提供Qu值高、εr为10～30左右、τf的绝对值小而且在950℃以下的温度下可烧成的电介质瓷器组合物。使用含有第一成分和第二成分(25重量%～80重量%)的电介质瓷组合物。第一成分是以组成式xZrO2-yTiO2-zL(1+u)/3M(2-u)/3O2所表示的复合氧化物，(其中，L是选自Mg、Zn、Co和Mn中至少一种的元素，M是选自Nb和Ta中至少一种元素，x、y、z和u是以x+y+z＝1、0.10≤x≤0.60、0.20≤y≤0.60、0.01≤z≤0.70、0≤u≤1.90表示的数值)。第二成分是含有选自Si、B、Al、Ba、Cu、Sr、Zn、Ti、La和Nd中至少一种元素的氧化物的玻璃组合物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1359874A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01143344.2
申请日：2001-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C14/004 , C04B35/49 , H01G4/1245 , H01G4/1263 , H01G4/129
Abstract: 本发明提供Qu值高、εr为10～30左右、τf的绝对值小而且在950℃以下的温度下可烧成的电介质瓷器组合物。使用含有第一成分和第二成分(25重量%～80重量%)的电介质瓷组合物。第一成分是以组成式xZrO2－yTiO2－zL(1+u)/3M(2－u)/3O2所表示的复合氧化物,(其中,L是选自Mg、Zn、Co和Mn中至少一种的元素,M是选自Nb和Ta中至少一种元素,x、y、z和u是以x+y+z=1、0.10≤x≤0.60、0.20≤y≤0.60、0.01≤z≤0.70、0≤u≤1.90表示的数值)。第二成分是含有选自Si、B、Al、Ba、Cu、Sr、Zn、Ti、La和Nd中至少一种元素的氧化物的玻璃组合物。
-
公开(公告)号：CN1212245A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98119510.5
申请日：1998-09-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种以含量不小于70%(重量)的氧化铝为主要成分的陶瓷组合物,具有氧化铝的固有特性(例如,高的热传导率等)和低的烧结温度,在此温度下,可以烧结得到所述陶瓷组合物中的比电阻低的导体金属,并制得多层基片。所述陶瓷组合物并含有至少二种或二种以上、可形成液相形成温度在700—1060℃的化学计量化合物的金属氧化物作为第二成分。该金属氧化物为氧化锰与氧化钒、氧化钒与氧化镁、及氧化锰与氧化铋的组合中之任一种。
-
公开(公告)号：CN100570795C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680000316.4
申请日：2006-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的发光装置具备：第1绝缘体(4)，其设置在相对的位置；发光体(2)，其介于第1绝缘体之间；第2绝缘体(5)，其作为第1绝缘体和该发光体的基台；电极(6)，其一部分与第1绝缘体相对或者配置第1绝缘体上；其他电极(10)，其与第2绝缘体接触，且使第2绝缘体介于到该电极之间；和透光性基板(8)，其在一部分中隔着第1绝缘体，且在其他一部分中隔着该发光体，与第2绝缘体相面对，在包含第1绝缘体、第2绝缘体、该发光体和该透光性基板的剖面中，延伸设置第1绝缘体到与该透光性基板接触时，由第1绝缘体、第2绝缘体和该透光性基板围成的区域的面积和该发光体所占的面积的关系被设定在规定的范围内。
-
公开(公告)号：CN1967742A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610068316.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01F41/127 , H01F1/24 , H01F1/26 , H01F1/28 , H01F17/04 , H01F27/027 , H01F27/292 , H01F41/0246 , Y10S156/922 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902 , Y10T29/49021 , Y10T29/49071 , Y10T29/49073 , Y10T29/49158 , Y10T29/49172 , Y10T29/49176 , Y10T29/4922 , Y10T29/49261 , Y10T29/49277 , Y10T156/1082 , Y10T156/11 , Y10T428/11 , Y10T428/32
Abstract: 本发明提供的复合磁性体，含有金属磁性体粉末和热硬化性树脂，金属磁性体粉末的填充率为65～90体积％，电阻率在104Ω·cm以上。若在这种复合磁性体中埋设线圈，可以获得电感值很大，且直流重叠特性优良的小型磁性元件。
-
公开(公告)号：CN1252736C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01142470.2
申请日：2001-11-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/00 , H01L41/187 , H03H9/54 , H03H9/15
Abstract: 本发明提供不含铅、晶粒粒径小、耦合系数和机械Q大且频率常量大的压电瓷质组合物。该组合物的特征是用一般式：(LixNa1-x-yKy)z-2wMa2wNb1-wMbwO3表示，其中，0.03≤x≤0.2、0≤y≤0.2、0.98≤z≤1、0＜w≤0.05；Ma是选自碱土类金属中的至少1种；Mb是选自Bi、Sb和稀土类元素中的至少1种。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.04 seconds)
