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公开(公告)号：CN101543136B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880000404.3
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3283 , H01L51/5048 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供一种具有厚度一定的高分子有机电致发光层的有机电致发光显示屏。本发明的有机电致发光显示屏包括：阳极电极，其被配置在基板上；空穴输送层，其被设置在配置有所述阳极电极的基板面上；线状的隔堤，其被设置在所述空穴输送层上，并且规定线状的像素区域；线状的中间层，其被配置在所述像素区域内；线状的高分子有机电致发光层，其被配置在所述像素区域内的所述中间层上；以及阴极电极，其设置在所述高分子有机电致发光层上。
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公开(公告)号：CN101361192B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780001781.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
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公开(公告)号：CN110064840A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910047037.2
申请日：2019-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/082 , B23K26/08 , B23K26/38 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光切片装置及激光切片方法，该激光切片装置及激光切片方法能够不使裂纹或裂缝产生而分离加工对象物。该激光切片装置利用激光将加工对象物分离，该激光切片装置具备：遮光区域检测部，其检测存在于所述加工对象物的第一表面侧的遮光区域；以及控制部，其以对所述加工对象物的所述第一表面的整个面进行扫描的方式从所述第一表面侧照射第一激光，从而在所述加工对象物的内部的预定切片面上形成第一改质层，并且从所述第一表面的背面侧的第二表面，对所述加工对象物的所述遮光区域照射第二激光，从而在所述预定切片面上与所述第一改质层连续地形成第二改质层。
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公开(公告)号：CN101543135B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880000401.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0545 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。
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公开(公告)号：CN101543136A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000404.3
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3283 , H01L51/5048 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供一种具有厚度一定的高分子有机电致发光层的有机电致发光显示屏。本发明的有机电致发光显示屏包括：阳极电极，其被配置在基板上；空穴输送层，其被设置在配置有所述阳极电极的基板面上；线状的隔堤，其被设置在所述空穴输送层上，并且规定线状的像素区域；线状的中间层，其被配置在所述像素区域内；线状的高分子有机电致发光层，其被配置在所述像素区域内的所述中间层上；以及阴极电极，其设置在所述高分子有机电致发光层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101543135A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000401.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/22 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L51/50 , H01L21/336 , H05B33/10 , H01L29/417 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0545 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。
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公开(公告)号：CN101361192A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001781.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
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公开(公告)号：CN110064840B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910047037.2
申请日：2019-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B23K26/06 , B23K26/082 , B23K26/08 , B23K26/38 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光切片装置及激光切片方法，该激光切片装置及激光切片方法能够不使裂纹或裂缝产生而分离加工对象物。该激光切片装置利用激光将加工对象物分离，该激光切片装置具备：遮光区域检测部，其检测存在于所述加工对象物的第一表面侧的遮光区域；以及控制部，其以对所述加工对象物的所述第一表面的整个面进行扫描的方式从所述第一表面侧照射第一激光，从而在所述加工对象物的内部的预定切片面上形成第一改质层，并且从所述第一表面的背面侧的第二表面，对所述加工对象物的所述遮光区域照射第二激光，从而在所述预定切片面上与所述第一改质层连续地形成第二改质层。
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公开(公告)号：CN104174995A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410160584.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B23K26/14 , B23K26/38 , B23K2101/18
Abstract: 本发明提供一种在对层叠体进行激光切割时能够无损切断面品质地进行切割的激光切割装置。该激光切割装置在透镜（4）与层叠体（10）之间配置有腔室（5），该腔室（5）中设有：用于将激光（2）射入到腔室（5）内的透射窗（6）；用于将辅助气体（8）导入到腔室（5）内的气体送入口（7）；以及用于将激光（2）从腔室（5）射出并使辅助气体（8）从腔室（5）喷出的切口（9）。切口（9）具有效仿激光（2）进行扫描的区域而得到的形状，层叠体（10）在激光（2）的照射位置上的厚度因辅助气体（8）的喷出而减小。
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公开(公告)号：CN101389993B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200580043159.0
申请日：2005-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/22 , B29C65/14 , B29C65/1406 , B29C65/1416 , B29C65/1483 , B29C65/1609 , B29C65/1616 , B29C65/1632 , B29C65/1635 , B29C65/1638 , B29C65/1654 , B29C65/1664 , B29C65/4845 , B29C65/52 , B29C66/1122 , B29C66/1222 , B29C66/1224 , B29C66/30223 , B29C66/534 , B29C66/65 , B29C66/71 , B29C66/712 , B29C66/73117 , B29C66/73771 , B29C66/73921 , B29C66/91631 , B29C66/91641 , B29C66/919 , B29C2035/0827 , B29K2105/0079 , B29K2995/0039 , B29L2011/0016 , G02B7/025 , G11B7/1372 , B29K2023/00
Abstract: 本发明涉及一种具有光学部件(22)与用于支撑光学部件的支撑部件(12)的光学单元(10)的制造方法。该方法中，使光学部件(22)与支撑部件(12)中至少一方的面变形后，固定该光学部件(22)与支撑部件(12)。
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