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公开(公告)号：CN102751159A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210238455.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
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公开(公告)号：CN103806097A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310495624.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及硅循环再利用系统及其方法。本发明的目的在于提供一种能够从在硅的切片加工中所排出的硅泥中对更多的硅量进行再利用，并能够形成以碳元素、氧元素为首的杂质少的硅的硅循环再利用系统及其方法。由从对硅锭进行切片加工时所产生的废液中回收硅泥的回收装置（S20）、对所述已回收的硅泥照射微波来进行加热的微波加热装置（S30）、将所述已加热的硅泥熔融并使其单方向凝固来形成硅锭的熔融/凝固装置（S40）构成。而且，通过按上述装置的顺序处理硅泥，能够对碳元素、氧元素等的杂质少的更多的硅量进行再利用。
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公开(公告)号：CN101111362B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200680003303.2
申请日：2006-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B81C99/0095 , B01J19/0046 , B01J2219/00378 , B01J2219/00527 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00644 , B01J2219/00711 , B01L3/502707 , B29C64/112 , B41M3/006 , B41M7/0081 , B41M7/009 , B81B2203/0361 , B81C1/0046 , B82Y30/00 , H05K3/0079 , H05K2203/013
Abstract: 本发明的目的是使用喷墨印刷技术等，制造较高纵横尺寸比的三维结构物。具体地说，就是将含有溶剂以及分散在所述溶剂中的聚合物颗粒且粘度为100cps以下的溶液的液滴，从喷嘴朝向基板喷出；将光照射到所述液滴上，蒸发所述溶剂，并且，熔化所述聚合物颗粒；使所述已熔化的聚合物颗粒在基板上堆积，由此制造出三维结构物。本发明能够应用于生物芯片等的制造。
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公开(公告)号：CN101361192B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780001781.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
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公开(公告)号：CN101258786A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032251.1
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2，16)引入真空容器(1)时，该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8)，由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15，19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15，19)引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101543135B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200880000401.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0545 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。
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公开(公告)号：CN101543135A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000401.X
申请日：2008-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B33/22 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L51/50 , H01L21/336 , H05B33/10 , H01L29/417 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0545 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光显示屏具有膜厚均匀的功能层，包括：阳极电极，其被配置在基板上；线状的隔堤，其被配置在配置有所述阳极电极的基板上，规定线状的区域；空穴输送层，其被矩阵状地被配置在所述基板上，而且所述空穴输送层被配置在所述线状的区域内；线状的中间层，其被配置在所述线状的区域内；线状的有机电致发光层，其被配置在所述线状的区域内；以及阴极电极，其被设置在所述有机电致发光层上，所述隔堤包含氟树脂。
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公开(公告)号：CN101361192A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001781.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种半导体设备，具有：配置在基板表面的源极电极和漏极电极；隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙；配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层；配置在所述有机半导体层上的绝缘膜；配置在所述绝缘膜上的栅极电极；以及规定所述有机半导体层的隔堤，该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B)，所述有机半导体元件(A)中，所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度，并且在所述隔堤上形成有沟槽，所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极，所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
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公开(公告)号：CN104105239A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410100661.1
申请日：2014-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少因热量造成的损伤并同时加热所期望的被处理物的微波加热装置及微波加热方法。本发明所涉及的微波加热装置的特征在于，具备：用于保持被处理物的滚筒；向所述滚筒内照射微波的微波照射装置；使所述滚筒旋转的旋转装置；设置在所述滚筒内的搅拌片；对所述滚筒进行冷却的冷却装置。
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公开(公告)号：CN103178149A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560048.9
申请日：2012-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/077 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/065 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体，该层叠体包括：第一扩散层，其由具有p型或n型的导电性的半导体构成；成膜层，其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成；和第二扩散层，其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成，第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。
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