公开(公告)号：CN1152438C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1215931A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管装置及其制造方法,该装置包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的,而接触层是在活性层上形成的,肖特基电极是在接触层上有选择地形成的,与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成,并透过由活性层发出的光。