公开(公告)号：CN1155092C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99109287.2

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底(11)上的晶体管(17)的绝缘膜(19)的接触孔(19a)中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区(15)上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜(20)；在接触孔(19a)的内部和上部填充有铂而形成了插塞(21)。在绝缘膜(19)的接触孔(19a)上，形成有与底层导电膜(20)及插塞(21)的上端面接触并包括由铂构成的下部电极(25)、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜(26)以及由铂构成的上部电极(27)的电容元件(28)。

公开(公告)号：CN1152438C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。

公开(公告)号：CN1516275A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310120418.8

申请日：1999-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾圭策 ,  佐佐井洋一 ,  十代勇治 ,  野间淳史

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在覆盖衬底11上的晶体管17的绝缘膜19的接触孔19a中，撇开该接触孔19a的内部和上部，在其壁面和漏极区15上方形成有由铱构成的、膜厚约为0.1μm的底层导电膜20；在接触孔19a的内部和上部填充有铂而形成了插塞21。在绝缘膜19的接触孔19a上，形成有与底层导电膜20及插塞21的上端面接触并包括由铂构成的下部电极25、由SrBi2Ta2O9构成的电容绝缘膜26以及由铂构成的上部电极27的电容元件28。

公开(公告)号：CN1215931A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98120475.9

申请日：1998-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上山智 ,  古井重雄 ,  宫永良子 ,  西川孝司 ,  斋藤彻 ,  佐佐井洋一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 一种发光二极管装置及其制造方法,该装置包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的,而接触层是在活性层上形成的,肖特基电极是在接触层上有选择地形成的,与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成,并透过由活性层发出的光。