公开(公告)号：CN1285106C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN02147384.6

申请日：2002-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 地割信浩

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种蚀刻方法，用于在衬底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成纵横比高的凹部，包括使用由Ar气、O2气、C5F8气、CH2F2气的混合气体构成的蚀刻气体进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN1492486A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02147384.6

申请日：2002-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 地割信浩

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种蚀刻方法，用于在衬底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成纵横比高的凹部，包括使用由Ar气、O2气、C5F8气、CH2F2气的混合气体构成的蚀刻气体进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN1134829C

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN97191880.5

申请日：1997-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今井伸一 ,  二河秀夫 ,  地割信浩

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/3065

Abstract: 在半导体制造装置的反应室(7)内的下部电极(3)上的硅衬底(6)的周围配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的硅环(12)，在硅衬底(6)的上方配置具有平均粗糙度为1～1000μm的粗糙面的、作为卤族元素清除构件的上部硅电极(5)，通过使用C2F6作为导入反应室(7)内的气体，能从制造装置工作的起始状态起有效地清除氟元素，提供与现有装置相比能够缩短半导体器件老化时间的半导体器件的制造装置。