公开(公告)号：CN1189927A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97190432.4

申请日：1997-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勲 ,  足立秀人 ,  熊渕康仁 ,  鬼头雅弘 ,  夈雅博

IPC: H01S3/18

Abstract: 一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层,这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构,使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1

公开(公告)号：CN1114203C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN98100254.4

申请日：1998-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  北冈康夫 ,  辻村步 ,  夈雅博

IPC: G11B7/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/126 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1381 ,  G11B7/24085 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光，导经偏振分束器及1/4波长片，并由聚焦透镜聚光，以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光，并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是，信号光从偏振分束器反射出来，以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。