公开(公告)号：CN1515036A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大塚信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型ALGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。

公开(公告)号：CN1114203C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN98100254.4

申请日：1998-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  北冈康夫 ,  辻村步 ,  夈雅博

IPC: G11B7/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/126 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1381 ,  G11B7/24085 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光，导经偏振分束器及1/4波长片，并由聚焦透镜聚光，以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光，并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是，信号光从偏振分束器反射出来，以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。

公开(公告)号：CN1190237A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN98100254.4

申请日：1998-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  北冈康夫 ,  辻村步 ,  粂雅博

IPC: G11B7/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/126 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1381 ,  G11B7/24085 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光,导经偏振分束器及1/4波长片,并由聚焦透镜聚光,以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光,并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是,信号光从偏振分束器反射出来,以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。

公开(公告)号：CN1259734C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型AlGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。

公开(公告)号：CN1233824A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99105732.5

申请日：1999-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 粂雅步博 ,  伴雄三郎 ,  木户口勋 ,  上山智 ,  辻村步 ,  石桥明彦 ,  长谷川义晃 ,  宫永良子

IPC: G11B7/125 ,  G02B26/02 ,  G02F1/13

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B7/005 ,  G11B7/128 ,  G11B7/135 ,  G11B7/1369 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10543

Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。