公开(公告)号：CN1094847A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94104615.X

申请日：1994-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田聪 ,  上田哲也 ,  山野敦浩 ,  失野航作

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/90 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一半导体衬底上并排形成多条金属互连线，并有一层间绝缘膜介于该金属互连线与半导体衬底之间，该金属互连线上覆盖着由一层下氧化硅膜和一层上氮化硅膜构成的钝化膜。该氧化硅膜是这样淀积的，使得在金属互连线侧面的那部分氧化硅膜的厚度小于两金属互连线间的最小间距的一半。该氮化硅膜是这样淀积的，使其介于相邻两金属互连线侧面的氧化硅膜部分之间。

公开(公告)号：CN1053994C

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN94104615.X

申请日：1994-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田聪 ,  上田哲也 ,  山野敦浩 ,  失野航作

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在一半导体衬底上并排形成多条金属互连线，并有一层间绝缘膜介于该金属互连线与半导体衬底之间，该金属互连线上覆盖着由一层下氧化硅膜和一层上氮化硅膜构成的钝化膜。该氧化硅膜是这样淀积的，使得在金属互连线侧面的那部分氧化硅膜的厚度小于两金属互连线间的最小间距的一半。该氮化硅膜是这样淀积的，使其介于相邻两金属互连线侧面的氧化硅膜部分之间。