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公开(公告)号：CN100388414C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410098296.1
申请日：2004-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45565
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理器件的清洗方法，能够抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。在反应室(101)的内部设置有兼作成膜用气体淋浴器的上部电极(103)。上部电极由挡板(104)和平面板(105)构成。其中，挡板104具有分散导入反应室内的气体的孔(104a)，平面板具有更进一步地分散被挡板分散的气体的孔(105a)。在进行反应生成物的清洗时，通过使用机构(105b)使两板之间的间隔变大并在两板之间施加高频电压，来产生由清洗气体(113)构成的等离子体(114)。
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公开(公告)号：CN1094847A
公开(公告)日：1994-11-09
申请号：CN94104615.X
申请日：1994-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/90 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在一半导体衬底上并排形成多条金属互连线，并有一层间绝缘膜介于该金属互连线与半导体衬底之间，该金属互连线上覆盖着由一层下氧化硅膜和一层上氮化硅膜构成的钝化膜。该氧化硅膜是这样淀积的，使得在金属互连线侧面的那部分氧化硅膜的厚度小于两金属互连线间的最小间距的一半。该氮化硅膜是这样淀积的，使其介于相邻两金属互连线侧面的氧化硅膜部分之间。
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公开(公告)号：CN101174554A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710193455.X
申请日：2004-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455 , B08B7/00
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45565
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理器件，能够抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。包括：能够减压的反应室；设置在反应室内的衬底支撑部；设置在反应室的壁部、向反应室的内部导入气体的气体导入口；以及设置在反应室内的衬底支撑部和气体导入口之间、具有将从气体导入口向反应室内导入的气体分散的多个孔的板；多个孔的每个孔中的、气体的入口侧的尺寸均大于气体的出口侧的尺寸；多个孔的每个孔的内壁面的至少一部分相对于气体的流动方向的倾斜角度小于等于45°。
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公开(公告)号：CN1865496A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610074072.6
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C16/52 , C23F4/00 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/45565
Abstract: 本发明公开了一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)有用处理气体(106)处理基板(103)的反应室(101)、设在反应室(101)内且设置基板(103)的基板支撑部(102)及将处理气体(106)导入反应室(101)内的喷头(104)；喷头(104)有形成了让处理气体(106)扩散的多个贯通孔(110)且设为与基板支撑部(102)面对面的板状气体扩散板(107)；气体扩散板(107)有中央部和厚度比中央部薄的边缘部；多个贯通孔(110)中设在边缘部的贯通孔长度短于多个贯通孔(110)中设在中央部的贯通孔长度。因此能提供能对基板表面进行均匀的基板处理的基板处理装置及基板处理方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1053994C
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN94104615.X
申请日：1994-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在一半导体衬底上并排形成多条金属互连线，并有一层间绝缘膜介于该金属互连线与半导体衬底之间，该金属互连线上覆盖着由一层下氧化硅膜和一层上氮化硅膜构成的钝化膜。该氧化硅膜是这样淀积的，使得在金属互连线侧面的那部分氧化硅膜的厚度小于两金属互连线间的最小间距的一半。该氮化硅膜是这样淀积的，使其介于相邻两金属互连线侧面的氧化硅膜部分之间。
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公开(公告)号：CN1050694C
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN94115769.5
申请日：1994-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。
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公开(公告)号：CN1118520A
公开(公告)日：1996-03-13
申请号：CN95104227.0
申请日：1995-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基片上用铝或铝合金形成第一层金属布线。在形成了第一层金属布线的半导体基片上，在500℃以下的温度下依次形成用作第一层间绝缘膜的第一SiO2膜及用作第二层间绝缘膜的SOG膜。在SOG膜上形成具有憎水性的分子层后，在该分子层上形成第二SiO2膜，作为第三层间绝缘膜。将第一SiO2膜、SOG膜及第二SiO2膜经过刻蚀，形成所要求的形状后，在第二SiO2膜上形成第二层金属布线。
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公开(公告)号：CN1638026A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098296.1
申请日：2004-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/45565
Abstract: 本发明公开了一种衬底处理器件及其清洗方法。本发明的目的在于：抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。在反应室101的内部设置有兼作成膜用气体淋浴器的上部电极103。上部电极103由挡板104和平面板105构成。其中，挡板104具有分散导入反应室101内的气体的孔104a，平面板105具有更进一步地分散被挡板104分散的气体的孔105a。在进行反应生成物的清洗时，通过使用机构105b使两板之间的间隔变大并在两板之间施加高频电压，来产生由清洗气体113构成的等离子体114。
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公开(公告)号：CN1109216A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94115769.5
申请日：1994-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/74
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。
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