公开(公告)号：CN1273437A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00107261.7

申请日：2000-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 生驹平治 ,  稻垣善嗣 ,  小西博之 ,  冈浩二 ,  松泽昭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

CPC classification number: H03K19/00361 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/00315

Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。

公开(公告)号：CN1173405C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00107261.7

申请日：2000-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 生驹平治 ,  稻垣善嗣 ,  小西博之 ,  冈浩二 ,  松泽昭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

CPC classification number: H03K19/00361 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/00315

Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器，备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上，且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后，P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏，而设置了在该模式下，能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。