公开(公告)号：CN1445931A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02159360.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明的A/D转换器(1a)根据指示分解度的来自外部的控制信号(4)来变更流向放大器的电流，据此使分解度可变。当系统要求的A/D转换器的性能变化时，能降低作为系统整体的电力消耗。

公开(公告)号：CN101447789A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810190207.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。

公开(公告)号：CN1273437A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00107261.7

申请日：2000-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 生驹平治 ,  稻垣善嗣 ,  小西博之 ,  冈浩二 ,  松泽昭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

CPC classification number: H03K19/00361 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/00315

Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器,备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上,且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后,P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏,而设置了在该模式下,能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。

公开(公告)号：CN100471070C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02159360.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明的A/D转换器(1a)根据指示分解度的来自外部的控制信号(4)来变更流向放大器的电流，据此使分解度可变。当系统要求的A/D转换器的性能变化时，能降低作为系统整体的电力消耗。

公开(公告)号：CN101080871A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043192.3

申请日：2005-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣善嗣

IPC: H03M1/18 ,  H03G3/20

CPC classification number: H03M1/182

Abstract: 可提供最大限度地发挥模拟数字变换器的性能、能高效地进行模拟信号处理的增益可变的模拟数字变换器及其增益调整方法和系统。根据从可调整电流值的电流源电路输出的电流和连接到运算放大器上的可调整阻抗值的阻抗元件，发生基准电压的高电压侧和低电压侧的电压值，据此进行模拟数字变换，利用该变换结果判定是否有必要调整模拟数字变换的增益，根据该判定，调整上述电流源电路的输出电流或/和上述阻抗元件的阻抗值以调整上述发生的基准电压值的高电压侧和低电压侧的电压值。构成为通过调整该基准电压值的高电压侧和低电压侧的电压值使模拟数字变换的增益可变。

公开(公告)号：CN101447789B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810190207.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。

公开(公告)号：CN1173405C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00107261.7

申请日：2000-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 生驹平治 ,  稻垣善嗣 ,  小西博之 ,  冈浩二 ,  松泽昭

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

CPC classification number: H03K19/00361 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/00315

Abstract: 数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器，备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上，且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后，P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏，而设置了在该模式下，能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。